VN靶材贴合

时间:2021年01月05日 来源:

锌锡合金,锌铝合金,锡镉合金,铜铟合金,铜铟镓合金,铜镓合金,以及锡,钼,钛等旋转靶材 高纯铝靶材Al 高纯铜靶材Cu 高纯铁靶材Fe 高纯钛靶材Ti 高纯镍靶材Ni 高纯镁靶材Mg高纯铬靶材Cr 高纯锌靶材Zn 高纯银靶材Ag 高纯钴靶材Co 高纯铌靶材Nb 高纯锡靶材Sn 高纯铟靶材In 高纯锆靶材Zr 高纯钽靶材Ta 高纯锗靶材Ge 高纯硅靶材Si 高纯钨靶材W 高纯铪靶材Hf 高纯钇靶材Y 高纯钆靶材Gd 高纯钐靶材Sm 高纯镝靶材Dy 高纯铈靶材Ce 高纯镧靶材La 高纯金靶材Au 高纯不锈钢靶材高纯石墨靶材C 高纯硒靶材Se高纯钼靶材Mo 高纯合金溅射靶材 二元合金靶 镍铬靶Ni-Cr 镍铁靶Ni-Fe 镍钴靶Ni-Co 镍锆靶Ni-Zr 镍铝靶Ni-Al镍铜靶Ni-Cu 镍钒靶Ni-V铜铟靶Cu-In 铜镓靶Cu-Ga 铜硒靶Cu-Se 钛铝靶Ti-Al 铝硅靶Al-Si 铝铜靶Al-Cu 铝钛靶Al-Ti 铝镁靶Al-Mg 银铜靶Ag-Cu 铁锰靶Fe-Mn 铟锡靶In-Sn 钴铁靶Co-Fe钨钛靶W-Ti 锌铝靶Zn-Al 铝钪靶Al-Sc 铜锡靶Cu-Sn 锆铝靶Zr-Al 锆铁靶Zr-Fe 锆硅靶Zr-Si 钒铝靶V-Al硼铁靶B-Fe 铝硅靶Al-Si 硼铁靶 B-Fe 多元合金靶 钴铁硼靶Co-Fe-B 铜铟镓靶Cu-In-Ga铜铟镓硒靶Cu-In-Ga-Se等。 旋转靶材用途 编辑 太阳能电池,建筑玻璃,汽车玻璃,半导体,平板电视等。靶材磁控溅射的原理是什么?VN靶材贴合

本实施例提供一种长寿命靶材组件,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.78mm;所述靶材表面的硬度为26hv;

其中,所述靶材的比较大厚度为22mm;所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形结构;所述靶材包括用于溅射的溅射面;所述溅射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面与水平面的夹角为4°;所述斜面位于所述平面和第二平面之间;所述平面为圆形;所述第二平面为环形;所述靶材的材质包括钛;所述背板的材质包括铝。

所得靶材组件溅射强度好,使得溅射过程中薄膜厚度均匀,使用寿命增加。

对比例1

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.5mm;所得靶材组件溅射强度差,使得溅射过程中薄膜厚度不均匀,使用寿命减少。

对比例2

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为8mm;所得靶材组件溅射强度差,使得溅射过程中薄膜厚度不均匀,使用寿命减少。 VN靶材贴合溅射的时候会先溅射凸起,溅射时间长了,靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。

铝钪合金靶材(AlSc),尺寸按需求定制,比列按需求定制,含钪比较高能做到AlSc45wt%,质量优异,杂质含量低,欢迎新老客户来电咨询洽谈。

江阴典誉新材料科技有限公司生产的金属钪,品质优异,**全球。铝钪合金生产历史悠久,拥有丰富的经验,目前推出的铝钪合金靶材已被微电子行业大型厂商采用。

相关靶材清单如下:

稀土合金靶材 :

铝钪AlSc;铈钆CeGd;铈镁CeMg;铈钐CeSm;镝钴DyCo;镝铁DyFe; 钆铜GdCu;钆铁GdFe;钬铜HoCu;镧铝LaAl;镧镍LaNi;铝钕AlNd;钕铁NdFe;钕铁硼NdFe;镍镁铈NiMgCe;镍镁铁铈NiMgFeCe;铽镝铁TbDyFe;铽铁TbFe;钇铝YAl;钇铜YCu;钇铁YFe;钇镁YMg;钇镍YNi;钇锆ZrY

高纯金属的纯度分析原则: 高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质,不包括C ,O ,N ,H等间隙元素,但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标,一般单独提出。依应用背景的不同,要求进行分析的杂质元素种类少则十几种, 多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九) 并不能真正的表达其纯度, 只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。 高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准,例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99 % ,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 个杂质元素, Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02,但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。选择高纯、超细粉末作为原料。

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜   本实验采用单晶硅片为衬底,按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干,然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃,工作气压120 Pa, 射频功率100 W, 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm, 沉积时间30min, 制备得到a- Si:H 薄膜样品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大,膜的均匀性将会变差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小,非晶硅薄膜均匀性变好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内,随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;   (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加,沉积速率开始较快,之后逐渐减慢,膜的表面粗糙度逐渐变大;   (5)随着溅射气压的增大,沉积速率有所降低。采用中频电源或射频电源。扬州MgF2靶材型号

金属靶表面氧化或有不清洁物质,打磨清理干净后即可。VN靶材贴合

所得靶材组件溅射强度好,使得溅射过程中薄膜厚度均匀,使用寿命增加。

实施例3提供一种长寿命靶材组件,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.8mm;所述靶材表面的硬度为22hv;

其中,所述靶材的比较大厚度为28mm;所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形结构;所述靶材包括用于溅射的溅射面;所述溅射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面与水平面的夹角为3°;所述斜面位于所述平面和第二平面之间;所述平面为圆形;所述第二平面为环形;所述靶材的材质包括钽;所述背板的材质包括铜。

所得靶材组件溅射强度好,使得溅射过程中薄膜厚度均匀,使用寿命增加。

实施例4提供一种长寿命靶材组件,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.9mm;所述靶材表面的硬度为25hv; VN靶材贴合

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