南京五氧化二钒靶
PVD技术简介 PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术,在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比,PVD有很多优点:如对环境无污染,是绿色环保工艺;对操作者无伤害;膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强,膜厚均匀。 PVD技术中经常使用的方法主要有:蒸发镀膜(包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术)、溅射镀膜(包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术),这些方法统称物***相沉积(Physical Vapor Deposition),简称为PVD。行业内通常所说的“IP”(ion plating)离子镀膜,是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用,为了强调离子的作用,而统称为离子镀膜。而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。南京五氧化二钒靶
真空熔炼 Mn-F2701 电解锰 片状 99.7% 1-10mm 真空熔炼 Co-F3501 电解钴 片状 99.95% 1-10mm 真空熔炼 Co-I3504 电积钴 块状 99.95% 40*40*5mm 真空熔炼 Co-G3533 钴 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 W-G3536 m 真空熔炼 Ta-G3533 钽 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Nb-G3533 铌 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Mo-G3533 m 真空熔炼 Si-I5011 多晶硅 块状 99.999% 不规则块状 真空熔炼 In-G4501 铟 颗粒 99.995% 1-3mm 真空熔炼 Zr-I2402 海绵锆 块状 99.4% 3-25mm 真空熔炼 Hf-I2402 海 m 真空熔炼 Ge-G5006 锗 颗粒 99.999% 3-5mm 真空熔炼 La-I3011 镧 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Er-I3011 铒 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Dy-I3011 镝 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 W-P3504 钨 粉末 99.95% 325目 粉末冶金 Al-P3504 &nbs 5目 粉末冶金 TiC-P2514 碳化钛 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 HfC-P2514 碳化铪 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 ZrB2-P2519 二硼化锆 粉末 99.5% 10μm 粉末冶金 Ti-F2612 .2*L 耗材配件 Ta-F3513 钽 0*0.2mm 耗材配件 Nb-F3513 *100*0.2mm 耗材配件 合金定制 流程:1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求;南京五氧化二钒靶七.溅射靶材的制备方法有哪些?
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”、 8”发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
2.杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
有些阴极设计是与阳极的空隙较小,所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体,否则会产生短路。
请参考设备商操作手册中关于如何正确安装靶材的相关信息。在收紧靶材夹具时,请先用手转紧一颗镙栓,再用手转紧对角线上的另外一颗镙栓,如此重复直到安装上所有镙栓后,再用工具收紧。七.溅射靶材的制备方法有哪些?溅射靶材是指通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜设备在适当工艺条件下溅射沉积在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。溅射靶材广泛应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域,不同领域需要的靶材各不相同。 靶材密度越高,薄膜的性能越好。
真空镀膜机分类 真空镀膜机在近二十年内发展迅速,其涉足的行业包括:塑料、五金、建筑、模具、装饰、陶瓷、汽车等行业,而真空镀膜设备根据各大个行业的功能需求,发展为蒸发真空镀膜机、多弧离子真空镀膜机、磁控溅射真空镀膜机。其中蒸发机主要应用于塑料、五金等行业。表面进行蒸发镀铝、鉻、一氧化硅的**设备,所镀膜层特点:牢固且细密,是工业化生产的理想设备,其大的优点是它的环保性,真空镀膜设备属于无三废、无污染的清洁生产设备,无须环保部门审批。多弧离子真空镀膜机主要应用于表面涂装PVD膜层,是目前世界上先进**涂装PVD膜层设备,东莞汇成真空所自主研发生产的多弧离子真空镀膜设备运用PLC及触摸屏实现自动化逻辑程序控制操作,设备结构合理、外观优雅、性能稳定、操作达到人机对话,简便。靶中毒的解决办法:控制镀膜模式的变换:在镀膜前,采集靶中毒的迟滞效应曲线。南京五氧化二钒靶
使进气流量控制在产生靶中毒的前沿,确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。南京五氧化二钒靶
PECVD 制备氢化非晶硅薄膜 本实验采用单晶硅片为衬底,按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干,然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃,工作气压120 Pa, 射频功率100 W, 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm, 沉积时间30min, 制备得到a- Si:H 薄膜样品。 (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大,膜的均匀性将会变差; (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小,非晶硅薄膜均匀性变好; (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内,随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大; (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加,沉积速率开始较快,之后逐渐减慢,膜的表面粗糙度逐渐变大; (5)随着溅射气压的增大,沉积速率有所降低。南京五氧化二钒靶
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市,是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司,溅射靶材充分借鉴国外的先进技术,并通过与国内外**研发机构合作,整合各行业资源优势,生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属,合金,陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累,已经拥有:真空热压,冷压烧结,真空熔炼,热等静压,等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材:平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台,冷压烧结炉一台,真空熔炼设备两台,等静压设备一台,等离子喷涂两套,绑定平台两套,各类机加工设备七台,检验设备若干,确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承:“一切以客户的需求为导向,客户的所有需求一次做好。”的发展理念。
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