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时间:2021年01月18日 来源:

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此,如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法,它是在高温退火的条件下,使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X- ray 衍射及拉曼光谱,对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中,非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单,但是存在光电转换效率低,寿命短,稳定性不好,并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广,而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性,能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。如果不能及时调整反应气体流量,化合物覆盖面积增加的速率得不到***,溅射沟道将进一步被化合物覆盖。常州硫化铌靶费用

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成,其中电子和离子的电荷总数基本相等,故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前,通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面,一方面,可以打开材料的长分子链,出现高能基团;另一方面,经打击使薄膜表面出现细小的凹陷,同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性,附着的杂质被氧化而除去,使镀铝基材薄膜的表面自由能提高,达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同,如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理,美国Applied Material公司称之为辉光放电,英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外,不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同,多数公司使用氧气和氩气的组合,也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%,且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。常州硫化铌靶费用反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。

真空离子镀在航空航天方面的应用: 在现代飞机、航空发动机或航空仪表中,特别是在航宇器,如宇宙飞船、人造卫星中,有不少旋转零件都要求有良好的润滑,但往往由于封存过久、环境温度过高或太空挥发等原因,普通油脂润滑剂已不再适用,从而提出以固体润滑剂代替。试验表明,用离子镀来制作固体润滑膜,比现有其他方法为优。不但附着力强,镀层又薄又匀,不影响零件的尺寸精度和公差配合。经济性也好,少许润滑材料即可镀很大面积。润滑膜的质量也较好,摩擦系数小,使用寿命也长。例如有一个人造卫星上的精密轴承,未镀前工作寿命*为几分钟,根本无法使用;但是经离子镀固体润滑膜后,则可在飞行中可靠地工作数千小时之久。离子镀不仅能够镀许多种常温固体润滑材料,而且还能镀复各种高温固体润滑材料,有的甚至可以在摄氏八百度以上的高温下发挥良好的润滑作用。可镀的固体润滑材料有银、金、铜、铅、铅锡合金、氟化物等。

什么是3D玻璃? 现在数码产品使用的玻璃盖板分为:2D玻璃,2.5D玻璃,还有3D玻璃。2D玻璃就是普通的纯平面玻璃,没有任何弧形设计;2.5D玻璃则为中间是平面的,但边缘是弧形设计;而3D屏幕,无论是中间还是边缘都采用弧形设计。 3D曲面玻璃的特色符合 3C 产品设计需求。3C 产品设计如智能手机、智能手表、平板计算机、可穿戴式智能产品、仪表板等陆续出现 3D 产品,已经明确引导3D曲面玻璃发展方向。3D曲面玻璃轻薄、透明洁净、抗指纹、防眩光、坚硬、耐刮伤、耐候性佳等优点,可型塑做出3D多形状外观具有产品特殊设计新颖性与质感佳,又可增加弧形边缘触控功能带来出色的触控手感、无线充电机能,并能解决天线布置空间不足及增强收讯功能,使产品更美观出色,产品设计差异化使消费者更能青睐。靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。

非晶硅薄膜的制备方法   非晶硅薄膜的制备方法有很多,如低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有:化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下,使固态非晶硅薄膜的硅原子被***、重组,从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜,并采取高温退火和激光诱导晶化的方式,利用X- 射线衍射及拉曼光谱,对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外,对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。徐州硅靶公司

压靶盖旋的过紧,没有和靶材之间留下适当的距离,调整距离即可。常州硫化铌靶费用

为什么需在真空中镀膜? 在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜,事实上,如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果, 比如在10 2托数量级下蒸镀铝,得到的膜层不但不光亮,甚至发灰、发黑,而且机械强度极差,用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。 蒸镀必须在一定的真空条件下进行,这是因为: (1)较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。 由于气体分子的热运动,分子之间的碰撞也是极其频繁的,所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) 。 (2)在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下, 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ,它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短;它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应; 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜;它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命;它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。 常州硫化铌靶费用

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