徐州CuS靶材贴合

气体压强对靶溅射电压的影响   在磁控溅射或反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，工作气体或反应气体压强对磁控靶溅射电压能够造成一定的影响。   1.工作气体压强对靶溅射电压的影响   一般的规律是：在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着工作气体(如氩气)压强(0.1~10Pa)的逐步增加，气体放电等离子体的密度也会同步增加，致使等离子体等效阻抗减小，磁控靶的溅射电流会逐步上升，溅射工作电压亦会同步下降。   2. 反应气体压强对靶溅射电压的影响   在反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着反应气体(如氮气、氧气)压强(或流量)的逐步增加(一般应注意不要超过工艺设定值的上限值)，随着磁控靶面和基片(工件)表面逐步被绝缘膜层覆盖，阴-阳极间放电的等效阻抗也会同步增高，磁控靶的溅射电流会逐步下降(直至“阴极中毒”和“阳极消失”为止)，溅射工作电压亦会同步上升。正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电，使阴极溅射无法进行下去。徐州CuS靶材贴合

    作为本发明推荐的技术方案，所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板。作为本发明推荐的技术方案，所述靶材呈凹形结构。作为本发明推荐的技术方案，所述靶材包括用于溅射的溅射面。推荐地，所述溅射面包括***平、第二平面和斜面。作为本发明推荐的技术方案，所述斜面与水平面的夹角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。作为本发明推荐的技术方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之间。推荐地，所述***平面为圆形。推荐地，所述第二平面为环形。作为本发明推荐的技术方案，所述靶材的材质包括铝、钽、钛或铜中的一种。作为本发明推荐的技术方案，所述背板的材质包括铜和/或铝。作为本发明推荐的技术方案，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为；所述靶材表面的硬度为20-30hv。 宿迁难熔金属靶材贴合晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。

抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。

抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。

靶材抛光装置100还包括：防护层400，所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。

所述防护层400为弹性材料，能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲，避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。

本实施例中，所述防护层400的厚度为30mm～35mm。若所述防护层400的厚度过小，所述防护层400起到的缓冲效果差，难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大，使得所述防护层400的体积过大，进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大，对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的硬度为10hv；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。

对比例4

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的硬度为35hv；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。

通过上述实施例和对比例的结果可知，本发明中，通过调整靶材表面的高度差及硬度，保证溅射强度，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

以上详细描述了本发明的推荐实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。 如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加。

靶材的杂质含量。在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。比如现在的半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。 此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。宿迁难熔金属靶材贴合

导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。徐州CuS靶材贴合

真空技术中的清洁处理 (一)概述    真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命 和可靠性。 (二)污染物的几种类型 ①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等; ②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物; ④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等; ⑤空气中的尘埃及其它有机物。 (三)污染的形成及其影响 真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须掉污染物。徐州CuS靶材贴合

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。