常州镝靶

非晶硅薄膜的制备方法   非晶硅薄膜的制备方法有很多，如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有：化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下，使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组，从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高温退火和激光诱导晶化的方式，利用X- 射线衍射及拉曼光谱，对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。常州镝靶

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

  通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

4..密度

为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。 无锡 氧化锡锑靶功能靶材安装及注意事项有哪些？

什么是靶材绑定

主要从靶材绑定的定义，适用范围和背靶的选择三个方面来为大家介绍一下靶材绑定。

一.靶材绑定的定义

靶材绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要由三种方式：压接、钎焊和导电胶。

1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；

2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；

3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。

二.绑定的适用范围

建议绑定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。

规格说明： 产品规格 靶材可定制 产品数量 1000 包装说明 双层真空包装 价格说明 1000 ◆  产品说明： 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密  度（20℃）/g•cm-3：12.02 熔  点/℃：1552 蒸发温度/℃：1460 沸  点/℃：3140 汽化温度/℃：1317 比 电 阻 率（0℃）/uΩ•cm：10.6 熔 化 热/kJ•mol-1：16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1：361.7 热 导 率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1：0.753 电阻温度系 外  观：银白色 蒸 发 源（丝、片）：W（镀Al2O3） 坩  埚：Al2O3 性  质：与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB 内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。靶中毒的解决办法：（1）采用中频电源或射频电源。

溅射镀膜不良膜层分析，改善方法： 1.白雾主要表现：膜层外观一层白雾。 原因分析及改善：（白雾可擦拭）：外层膜松散粗糙；出炉温差大；潮气吸附；膜层结构不均匀；反应气体不足/不均匀；外层膜应力大等。     （白雾不可擦拭）：残留脏污；材腐蚀污染；膜层之间不匹配；反应气体不足/不均匀；基材受潮污染；真空室脏有水汽；环境温差大。 2.发蒙主要表现：膜层表面粗糙无光。 原因分析及改善：设备漏气；反应气体故障；膜层过厚；偏压故障；       3.色斑主要表现：局部膜色变异。 原因分析及改善：腐蚀，局部折射率改变；前道工程夹具加工方法痕迹（形状规则、部位一致、界限分明）； 周转运输库存过程留下痕迹；研磨抛光残留；多层膜系中，部分膜层过薄；机组微量返油。 4.打火 5.碰擦伤主要表现：划痕碰伤。 原因分析及改善：划痕有膜层：镀前碰擦伤；划痕无膜层（漏基材）：镀后碰擦伤。由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？常州镝靶

不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。常州镝靶

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点：   (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。常州镝靶

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