南通硒化铅靶材定制

时间:2021年03月05日 来源:

本实施例提供一种长寿命靶材组件,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.78mm;所述靶材表面的硬度为26hv;

其中,所述靶材的比较大厚度为22mm;所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形结构;所述靶材包括用于溅射的溅射面;所述溅射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面与水平面的夹角为4°;所述斜面位于所述平面和第二平面之间;所述平面为圆形;所述第二平面为环形;所述靶材的材质包括钛;所述背板的材质包括铝。

所得靶材组件溅射强度好,使得溅射过程中薄膜厚度均匀,使用寿命增加。

对比例1

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.5mm;所得靶材组件溅射强度差,使得溅射过程中薄膜厚度不均匀,使用寿命减少。

对比例2

与实施例1的区别*在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为8mm;所得靶材组件溅射强度差,使得溅射过程中薄膜厚度不均匀,使用寿命减少。 采用闭环控制反应气体的通入量。南通硒化铅靶材定制

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的“溅射能量阀值”。南通硒化铅靶材定制对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

非晶硅薄膜的制备方法   非晶硅薄膜的制备方法有很多,如低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有:化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下,使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组,从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜,并采取高温退火和激光诱导晶化的方式,利用X- 射线衍射及拉曼光谱,对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成,其中电子和离子的电荷总数基本相等,故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前,通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面,一方面,可以打开材料的长分子链,出现高能基团;另一方面,经打击使薄膜表面出现细小的凹陷,同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性,附着的杂质被氧化而除去,使镀铝基材薄膜的表面自由能提高,达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同,如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理,美国Applied Material公司称之为辉光放电,英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外,不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同,多数公司使用氧气和氩气的组合,也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%,且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。靶材密度越高,薄膜的性能越好。

高纯金属的纯度分析原则: 高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质,不包括C ,O ,N ,H等间隙元素,但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标,一般单独提出。依应用背景的不同,要求进行分析的杂质元素种类少则十几种, 多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九) 并不能真正的表达其纯度, 只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。 高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准,例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99 % ,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 个杂质元素, Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02,但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。南通硒化铅靶材定制

一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶中毒后溅射速率低。南通硒化铅靶材定制

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