成都硅靶功能

电致变色智能玻璃的特点：电致变色智能玻璃在电场作用下具有光吸收透过的可调节性，可选择性地吸收或反射外界的热辐射和内部的热的扩散，减少办公大楼和民用住宅在夏季保持凉爽和冬季保持温暖而必须消耗的大量能源。同时起到改善自然光照程度、防窥的目的。解决现代不断恶化的城市光污染问题。是节能建筑材料的一个发展方向。调光玻璃的调光原理是：在自然状态下（断电不加电场），它内部液晶的排列是无规则的，液晶的折射率比外面聚合物的折射率低，入射光在聚合物上发生散射，呈乳白色，即不透明。当加上电场（通电）以后，有弥散分布液晶的聚合物内液滴重新排列，液晶从无序排列变为定向有序排列，使液晶的折射率与聚合物的折射率相等，入射光完全可以通过，形成透明状态。降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。成都硅靶功能

靶材材质对靶溅射电压的影响   1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。   2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。   3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。   4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。无锡稀土靶公司在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。

溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质，所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。

有一部分靶材在安装之前需要抛光，比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮，在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。

一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。

所以结论就是，活性金属靶材要求表面抛光，不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。

而射频溅射的使用范围更为***，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。溅射靶材射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。

三．真空镀膜中靶材中毒会出现哪些想象，如何解决？

1、靶面金属化合物的形成。

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。 靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面。

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成，其中电子和离子的电荷总数基本相等，故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前，通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的凹陷，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使镀铝基材薄膜的表面自由能提高，达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同，如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理，美国Applied Material公司称之为辉光放电，英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外，不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同，多数公司使用氧气和氩气的组合，也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%，且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。苏州氟化铈靶调试

靶与地线之间短路 ----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下。成都硅靶功能

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)，对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征，研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大，而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪，对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明：不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化，并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通过拉曼激光诱导晶化，结果表明：拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化，具有晶化速度快的特点;晶化过程中，需要控制激光强度，过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。成都硅靶功能

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