武汉二氧化硅靶图片

磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：

1. 靶材安装准确否?

2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。

3. 起辉电源是否正常------------检查靶电源。

4. 靶与地线之间短路

----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；

----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。

5. 永磁靶表面场强是否下降太多？

---------如果下降太多，需要更换磁钢。 比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮。武汉二氧化硅靶图片

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成，其中电子和离子的电荷总数基本相等，故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前，通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的凹陷，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使镀铝基材薄膜的表面自由能提高，达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同，如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理，美国Applied Material公司称之为辉光放电，英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外，不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同，多数公司使用氧气和氩气的组合，也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%，且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。成都钙靶价钱一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。

是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

真空技术中的清洁处理(一)概述真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命和可靠性。(二)污染物的几种类型①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等;②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等;③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物;④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等;⑤空气中的尘埃及其它有机物。(三)污染的形成及其影响真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须掉污染物。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会***降低。

6. 起辉溅射真空度与前次的差别？

---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。

换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。 五．磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗？磁控溅射过程中，等离子体的离子撞击靶材，溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等，原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。

溅射发生在靶材表面，靶材表面物理状态不均匀也没有关系，溅射的时候会先溅射凸起，溅射时间长了，靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。 在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。成都钙靶价钱

请参考设备商操作手册中关于如何正确安装靶材的相关信息。武汉二氧化硅靶图片

靶中毒现象

(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。

4、靶中毒的物理解释

（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会***降低。 武汉二氧化硅靶图片

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