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什么是靶材绑定

主要从靶材绑定的定义，适用范围和背靶的选择三个方面来为大家介绍一下靶材绑定。

一.靶材绑定的定义

靶材绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要由三种方式：压接、钎焊和导电胶。

1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；

2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；

3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。

二.绑定的适用范围

建议绑定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。 溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质。镇江二氧化铪靶型号

  磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围   (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。   (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。   (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率   磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。   考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。   磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。南京氧化钴靶费用而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。

是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

PECVD制备氢化非晶硅薄膜本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120Pa，射频功率100W，气体流量SiH4/H2=15/5sccm，沉积时间30min，制备得到a-Si：H薄膜样品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;(4)随着溅射时间的增加,膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;(5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。

什么是真空镀铝膜，应用在哪些领域？ 真空镀铝薄膜是在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺，我国镀铝膜产能已达到40万吨。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品的包装。 真空镀铝薄膜是在高真空条件下，以电阻、高频或电子束等加热方式使铝熔化蒸发，在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺。在塑料薄膜或纸张表面镀上一层极薄的金属铝即成为镀铝薄膜或镀铝纸。 用于包装上的真空镀铝薄膜具有铝材用量少、耐折叠性高、阻隔性能高、抗静电等特点，使镀铝薄膜成为一种性能优良、经济美观的新型复合薄膜，在许多方面已取代了铝箔复合材料。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品等的包装。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。南京氧化钴靶费用

同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。镇江二氧化铪靶型号

为什么需在真空中镀膜？ 在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜，事实上，如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果， 比如在10 2托数量级下蒸镀铝，得到的膜层不但不光亮，甚至发灰、发黑，而且机械强度极差，用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。 蒸镀必须在一定的真空条件下进行，这是因为： （1）较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。 由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) 。 （2）在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下， 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ，它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短；它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应； 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜；它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命；它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。镇江二氧化铪靶型号

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