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什么是DLC薄膜？类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜，是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称，它是一类性质近似于金刚石，具有高硬度，高电阻率。良好光学性能等，同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式，从而使其终产生不同的物质：金刚石（diamond）—碳碳以sp3键的形式结合；石墨（graphite）—碳碳以sp2键的形式结合。而类金刚石（DLC）—碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合，生成的无定形碳的一种亚稳定形态，它没有严格的定义，可以包括很宽性质范围的非晶碳，因此兼具了金刚石和石墨的优良特性；所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料，碳原子间的键合方式是共价键，主要包含sp2和sp3两种杂化键，而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。靶材安装及注意事项有哪些？武汉硫化钨靶

有些阴极设计是与阳极的空隙较小，所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体，否则会产生短路。

请参考设备商操作手册中关于如何正确安装靶材的相关信息。在收紧靶材夹具时，请先用手转紧一颗镙栓，再用手转紧对角线上的另外一颗镙栓，如此重复直到安装上所有镙栓后，再用工具收紧。七．溅射靶材的制备方法有哪些？溅射靶材是指通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜设备在适当工艺条件下溅射沉积在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。溅射靶材广泛应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域，不同领域需要的靶材各不相同。 陶瓷靶收费为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。

溅射镀膜不良膜层分析，改善方法： 1.白雾主要表现：膜层外观一层白雾。 原因分析及改善：（白雾可擦拭）：外层膜松散粗糙；出炉温差大；潮气吸附；膜层结构不均匀；反应气体不足/不均匀；外层膜应力大等。     （白雾不可擦拭）：残留脏污；材腐蚀污染；膜层之间不匹配；反应气体不足/不均匀；基材受潮污染；真空室脏有水汽；环境温差大。 2.发蒙主要表现：膜层表面粗糙无光。 原因分析及改善：设备漏气；反应气体故障；膜层过厚；偏压故障；       3.色斑主要表现：局部膜色变异。 原因分析及改善：腐蚀，局部折射率改变；前道工程夹具加工方法痕迹（形状规则、部位一致、界限分明）； 周转运输库存过程留下痕迹；研磨抛光残留；多层膜系中，部分膜层过薄；机组微量返油。 4.打火 5.碰擦伤主要表现：划痕碰伤。 原因分析及改善：划痕有膜层：镀前碰擦伤；划痕无膜层（漏基材）：镀后碰擦伤。

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)，对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征，研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大，而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪，对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明：不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化，并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通过拉曼激光诱导晶化，结果表明：拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化，具有晶化速度快的特点;晶化过程中，需要控制激光强度，过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。靶中毒的解决办法：控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线。

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ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、溅射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。 靶中毒的解决办法：（1）采用中频电源或射频电源。陶瓷靶收费

阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。武汉硫化钨靶

靶中毒的影响因素

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。 武汉硫化钨靶

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