硒化铬靶调试

时间:2021年05月13日 来源:

溅射靶材的分类有哪些?

金属溅射镀膜靶材,合金溅射镀膜靶材,陶瓷溅射镀膜靶材,硼化物陶瓷溅射靶材,碳化物陶瓷溅射靶材,氟化物陶瓷溅射靶材 ,氮化物陶瓷溅射靶材 ,氧化物陶瓷靶材,硒化物

陶瓷溅射靶材 ,硅化物陶瓷溅射靶材 ,硫化物陶瓷溅射靶材 ,碲化物陶瓷溅射靶材 ,其他陶瓷靶材,掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化铟靶材(InP),砷化铅靶材(PbAs),砷化铟靶材(InAs)。

1. 金属靶材:

镍靶、Ni、钛靶、T溅射靶材i、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、溅射靶材不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。 靶中毒时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴极靶面。硒化铬靶调试

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM),对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征,研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大,而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪,对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明:不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化,并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通过拉曼激光诱导晶化,结果表明:拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化,具有晶化速度快的特点;晶化过程中,需要控制激光强度,过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。硒化铬靶调试所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理,确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。

靶材安装及注意事项有哪些?

溅射靶材安装过程中**重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射***冷却壁之间建立很好的导热连接。如果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲,背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响,导致在溅射过程中热量无法散发**终会造成靶材开裂或脱靶。

为确保足够的导热性,可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射***冷却壁的平整度,同时确保O型密封圈始终在位置上。

由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内,所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理,确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。

2. 陶瓷靶材

ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、溅射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶,、二氧化铪靶,二硼化钛靶,二硼化锆靶,三氧化钨靶,三氧化二铝靶五氧化二钽,五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化钛靶,碳化硅靶,铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。 在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量不足以破坏氧化皮,所以一般在溅射的时候进行物理抛光。

规格说明: 产品规格 靶材可定制 产品数量 1000 包装说明 双层真空包装 价格说明 1000 ◆  产品说明: 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 钯,是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气,使体积***胀大,变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量:106.4 密  度(20℃)/g•cm-3:12.02 熔  点/℃:1552 蒸发温度/℃:1460 沸  点/℃:3140 汽化温度/℃:1317 比 电 阻 率(0℃)/uΩ•cm:10.6 熔 化 热/kJ•mol-1:16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1:361.7 热 导 率(0~100℃)/J•(cm•s•℃)-1:0.753 电阻温度系 外  观:银白色 蒸 发 源(丝、片):W(镀Al2O3) 坩  埚:Al2O3 性  质:与难溶金属形成合金,闪烁蒸发,在EB 内激烈飞溅,钯是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。锰酸镧靶作用

半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。硒化铬靶调试

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的“溅射能量阀值”。硒化铬靶调试

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市,是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司,溅射靶材充分借鉴国外的先进技术,并通过与国内外**研发机构合作,整合各行业资源优势,生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属,合金,陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累,已经拥有:真空热压,冷压烧结,真空熔炼,热等静压,等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材:平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台,冷压烧结炉一台,真空熔炼设备两台,等静压设备一台,等离子喷涂两套,绑定平台两套,各类机加工设备七台,检验设备若干,确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承:“一切以客户的需求为导向,客户的所有需求一次做好。”的发展理念。

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