成都钽酸锂靶型号

靶中毒的影响因素

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。 在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力。成都钽酸锂靶型号

靶中毒现象

(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。

4、靶中毒的物理解释

（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会***降低。 镇江铜镍靶作用靶中毒的解决办法：控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线。

目前市场上常见的合金靶材有哪些？ 钛铝靶材,TiAl靶材，钛硅靶材,TiSi靶材，钛钨靶材,TiW靶材，钨钛靶材WTi靶材，钛铝硅靶材,TiAlSi靶材，铬铝靶材,CrAl靶材，铬硅靶材,CrSi靶材，硅铝靶材,SiAl靶材，锌锡靶材,ZnSn靶材，锌铝靶材,ZnAl靶材，铝铜靶材,AlCu靶材，镍铬靶材,NiCr靶材，镍钒靶材,NiV靶材，镍铁靶材,NiFe靶材，镍铜靶材,NiCu靶材，铁钴靶材,FeCo靶材，钛铌靶材,TiNb靶材，钛锆靶材,TiZr靶材，铟锡靶材,InSn靶材，铜锆靶材,CuZr靶材，镁锌钙靶材,MgZnCa靶材，镍铬铜靶材,NiCrCu靶材，钼铌靶材,MoNb靶材，铝钕靶材,AlNd靶材，铝钪靶材,AlSc靶材，银铝靶材,AgAl靶材， 铬铝硅靶材,CrAlSi靶材，镝铝靶材,DyAl靶材，铌锆靶材,NbZr靶材等等。

磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al（AZO）薄膜的工艺探讨目前主要的薄膜太阳能电池有：碲化镉（CdTe）系薄膜太阳能电池、硒铟铜（CIS）系薄膜太阳能电池、非晶硅系薄膜太阳能电池、晶硅系薄膜太阳能电池。研究人员研制出了价格低廉、原材料丰富且性能稳定的绒面ZnO∶Al陷光结构来作为薄膜太阳能电池的前电极。具有弹坑状绒面结构的AZO透明导电薄膜可以增强太阳光的散射作用，改善陷光效果，增加电池对太阳能的吸收量，提高薄膜太阳能电池的转换效率。磁控溅射镀膜工艺在玻璃衬底上制作AZO透明导电薄膜具有成膜速度快、膜层均匀、成膜面积大等优点，是较为合适的生产AZO薄膜的工艺方法。目前由磁控溅射工艺生产透明导电薄膜AZO时所用靶材有两种类型：①陶瓷AZO靶材；②合金锌铝靶材。应根据实际情况，选择适合本企业的靶材产品。作为一种新的TCO材料，AZO相对于ITO和FTO有很大优势，要大规模产业化还必须在如何降低设备及工艺成本上进一步研发。从根本上说，AZO薄膜的结构性能的好坏决定了其光电性能的优劣，必须在工艺参数上多做研究，实现高质量和低成本的双赢。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

氧化物镀膜技术在真空镀铝膜中的应用 近年来，迅速发展微波加热技术给微波食品包装及需经微波杀 菌消毒的一类商品的包装提出了新的要求，即包装材料不要具有优良的阻隔性能，而且还要耐高温、微波透过性好等特性，传统的包装材料很难具备这些特点。因此，近年来日本、德国、美国等国家大力研究开发新型的高阻隔性包装材料——SiOX和其它金属氧化物镀膜复合材料。这类材料除了阻隔性能可以与铝塑复合材料相媲美外，同时还具有微波透过性好、耐高温、透明、受环境温度湿度影响小等优点。 非金属镀膜可采用蒸镀原料可采用SiOX、SiO2，也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等，其中常用的是SiOX、AlOx。氧化物镀膜的蒸发源有电阻式和电子束两种，电阻式蒸发源以电阻通过发热的原理来加热蒸镀原料，高加热温度可达1700℃。电子束蒸发源利用加速电子碰撞蒸镀原料而使其蒸发，蒸发源配有电子，在材料局部位置上而形成加热束斑，束斑温度可达3000～6000℃，能量密度高可达20KW/cm2。 实验表明只有PP、PET、PA等材料才能较适合氧化物镀膜加工。而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。镇江铜镍靶作用

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高纯金属的纯度分析原则：高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质，不包括C,O,N,H等间隙元素，但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标，一般单独提出。依应用背景的不同，要求进行分析的杂质元素种类少则十几种,多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九)并不能真正的表达其纯度,只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准，例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99%,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17个杂质元素,Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。成都钽酸锂靶型号

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