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非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能，是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此，如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法，它是在高温退火的条件下，使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光谱，对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中，非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单，但是存在光电转换效率低，寿命短，稳定性不好，并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广，而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性，能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。成都五氧化二钒靶费用

磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：

1. 靶材安装准确否?

2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。

3. 起辉电源是否正常------------检查靶电源。

4. 靶与地线之间短路

----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；

----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。

5. 永磁靶表面场强是否下降太多？

---------如果下降太多，需要更换磁钢。 成都五氧化二钒靶费用此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。

靶材材质对靶溅射电压的影响   1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。   2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。   3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。   4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。

玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠溅射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方颜色上有一些区别，大概分为以下几种： 1、皇冠金（crown gold），黄金含量在22K(91.667％)，由英国亨利八世(1526年)将此比例的黄金用于金币的铸造 2、常见的也是典型的18K玫瑰金，黄金含量也在18K(75％)，但其它另含有约4％的银和21％的铜，呈现美丽的淡粉玫瑰色 3、14K红金，黄金含量在14K(58.33％)，其它添加金属为铜(41.67％)。 有的PVD镀膜厂玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素，用来达到不同的色调或用来改变镀层的性能，这也是市面上每一家PVD厂镀出的色调都有一些差异的原因之一。溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类。

电致变色的工作原理：   电致变色材料在外加电场作用下发生电化学氧化还原反应，得失电子，使材料的颜色发生变化电致变色器件的典型结构器件结构从上到下分别为：玻璃或透明基底材料、透明导电层（如：ITO）、电致变色层、电解质层、离子存储层、透明导电层（如：ITO）、玻璃或透明基底材料。器件工作时，在两个透明导电层之间加上一定的电压，电致变色层材料在电压作用下发生氧化还原反应，颜色发生变化；而电解质层则由特殊的导电材料组成，如包含有高氯酸锂、高氯酸纳等的溶液或固体电解质材料；离子存储层在电致变色材料发生氧化还原反应时起到储存相应的反离子，保持整个体系电荷平衡的作用，离子存储层也可以为一种与前面一层电致变色材料变色性能相反的电致变色材料，这样可以起到颜色叠加或互补的作用。如：电致变色层材料采用的是阳极氧化变色材料，则离子存储层可采用阴极还原变色材料。靶材密度越高，薄膜的性能越好。南京高熵合金靶厂家

比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮。成都五氧化二钒靶费用

购买靶材的注意事项有哪些许多用户在采购靶材时没有从专业的角度去考虑，下面为大家指出购买靶材时需要注意的事项。

对于所有的金属来说，纯度是靶材的主要性能指标之一，靶材的纯度对后期产品薄膜的性能影响很大。但是每一个产品对靶材的纯度要求也有不相同的地方。

其次就是靶材的杂质含量。在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。比如现在的半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。 成都五氧化二钒靶费用

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