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靶材材质对靶溅射电压的影响 1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。 2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。 3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低,可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。 4. 实际镀膜过程中,由于工作气体压力变化,或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化),或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配,同时选用了输出特性较软的靶电源等原因,导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值,则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈,就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光,以至不能溅射成膜的状况。溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。杭州高纯金属靶哪家好
密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响,并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。
是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。 盐城三氧化钨靶费用当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。
PVD技术常用的方法PVD基本方法:真空蒸发、溅射、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀),以下介绍几种常用的方法。电子束蒸发电子束蒸发是利用聚焦成束的电子束来加热蒸发源,使其蒸发并沉积在基片表面而形成薄膜。溅射沉积溅射是与气体辉光放电相联系的一种薄膜沉积技术。溅射的方法很多,有直流溅射、RF溅射和反应溅射等,而用得较多的是磁控溅射、中频溅射、直流溅射、RF溅射和离子束溅射。RF(射频)溅射RF溅射使用的频率约为13.56MHz,它不需要热阴极,能在较低的气压和较低的电压下进行溅射。RF溅射不可以沉积金属膜,而且可以沉积多种材料的绝缘介质膜,因而使用范围较广。电弧离子镀阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积,该技术材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。
磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围 (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。 (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率 磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外,主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同,分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。 考虑到溅射靶长期使用老化后,其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同,磁控靶的使用时的承载功率,直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。 磁控靶材(主要是Cu,Ag,黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时,一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率,均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。
阳光控制镀膜玻璃的优点 阳光控制镀膜玻璃主要就是为了遮光隔热,根据它的物理特性也叫做热反射镀膜玻璃,在普通的透明玻璃上通过磁控溅射真空镀膜机镀上一层或多层薄膜,在这里我们简称反射玻璃。 反射玻璃相对于普通透明玻璃而言,在太阳能的反射性能上,反射玻璃一次的反射比普通玻璃高出4.3倍,第二次的反射高出3.1倍,总的反射就高出3.6倍了;在遮蔽系数上,反射玻璃比普通玻璃减少0.18,系数越少,遮光效果就会越好的,减少太阳辐射和热能的透射;在可见光的反射和透射上,反射玻璃比普通玻璃反射增加了20%~38%,透射减少了55%~70%,具有良好的遮光性能;在传热系数上,反射玻璃比普通玻璃降低了0.4W(m2.K),具有良好的隔热性能。 利用其良好的遮光和隔热性能,可以大降低在室内制冷和保暖的花费,是一种非常好的节能产品,而且可以通过不同的金属或金属化合物为靶材,镀制出不同颜色的反射膜,常见的颜色有茶色、灰色、金黄色、古铜色、褐色、珊瑚黄色,通过不同的配搭,达到装饰的效果,即美观又节能。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶中毒时,溅射电压会***降低。盐城三氧化钨靶费用
七.溅射靶材的制备方法有哪些?杭州高纯金属靶哪家好
2. 陶瓷靶材
ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、溅射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶,、二氧化铪靶,二硼化钛靶,二硼化锆靶,三氧化钨靶,三氧化二铝靶五氧化二钽,五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化钛靶,碳化硅靶,铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。 杭州高纯金属靶哪家好
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