上海多弧靶材

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示，在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。上海多弧靶材

靶材600呈长方体状，其顶部表面为靶材溅射面610，底部表面为靶材焊接面620，所述靶材焊接面620贴合于背板表面上，所述靶材600通过所述靶材焊接面620与背板焊接固定。所述靶材600具有四个侧壁表面630。

靶材600具有十二条侧棱601，各条侧棱601均经过圆角处理。在圆角处理前，所述靶材600的侧棱601位置较为锐利。如果使用侧棱未经圆角处理的靶材600进行溅射镀膜，在溅射镀膜工艺过程中，所述靶材600的侧棱601位置容易发生前列放电的现象，导致镀膜的均匀性差，影响镀膜质量。圆角处理使得靶材侧棱601钝化，有助于防止前列放电现象的发生。 成都Zr靶材费用有一部分靶材在安装之前需要抛光，比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮。

所述把手510包括杆状部511和第二杆状部512，所述杆状部511的一端连接所述顶板210，另一端连接所述第二杆状部512。所述杆状部511延伸方向与所述顶板210表面相垂直，所述第二杆状部512延伸方向与所述顶板210表面相平行。所述把手510的结构有利于操作人员牢固的抓握所述把手510，防止从所述把手510上滑脱。

在其他实施例中，所述固定板200内侧面弯折处呈弧状，所述防护层400弯折处呈弧状，位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度均匀。

此外，与前一实施例不同的是，所述抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为一体成型。且所述抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330厚度相等。

主要产品： 1、钯 颗粒 99.99% 常规尺寸：φ3*6mm；量大可定做 2、钯 靶材 99.99%‍  常规尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、电镜钯片 常规尺寸：φ57*0.1mm *0.2mm 4、钯 箔片 99.9 2mm等，尺寸可定做 二、其他 ： 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工 。 回收流程如下： 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Sc-I4006 钪 x 真空熔炼 Li-G30610 锂 颗粒 99.9% φ6*10mm 真空熔炼 Sr-I2011 锶 块状 99% 氮气包装 真空熔炼 Mg-G3514 镁 颗粒 99.93% 4mm类球形 真空熔炼 Mg-I3503 镁 块状 99.95%  200g/块 真空熔炼 Fe-G3533 铁 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Cr-G3501 mm 真空熔炼 Al-G4066 铝 颗粒 99.99% φ6*6mm 真空熔炼 Cu-G5033 铜 颗粒 99.999% φ3*3mm 真空熔炼 Cu-G3533 铜 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Ti-G3033 钛 颗粒 99.9% φ3*3mm 真空熔炼 Ni-G3025 镍 颗粒 99.9% φ2*5mm 真空熔炼 V-G3015 钒 颗粒 99.9% 树枝状 真空熔炼 Mn-F2701主要由三种方式：压接、钎焊和导电胶。

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜   本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;   (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;   (5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会降低。常州ZrC靶材型号

所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。上海多弧靶材

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外，还受靶面的功率密度，亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中，当靶材、溅射气体等业已选定之后，比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说，在磁控溅射正常工艺范围内，放电电压越高，磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比，因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个：一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说，磁控靶的溅射功率增高时，薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件，就是：加在磁控靶的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量，足以大过靶材的“溅射能量阀值”。上海多弧靶材

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。