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玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠溅射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方颜色上有一些区别，大概分为以下几种： 1、皇冠金（crown gold），黄金含量在22K(91.667％)，由英国亨利八世(1526年)将此比例的黄金用于金币的铸造 2、常见的也是典型的18K玫瑰金，黄金含量也在18K(75％)，但其它另含有约4％的银和21％的铜，呈现美丽的淡粉玫瑰色 3、14K红金，黄金含量在14K(58.33％)，其它添加金属为铜(41.67％)。 有的PVD镀膜厂玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素，用来达到不同的色调或用来改变镀层的性能，这也是市面上每一家PVD厂镀出的色调都有一些差异的原因之一。由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？扬州硒化锑靶作用

磁控溅射离子镀   (1)在基体和工件上是否施加(直流或脉冲)负偏压，利用负偏压对离子的吸引和加速作用，是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区别。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀 ;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀，这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。   (2)磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射，又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进行轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件表面的轰击，可有效基片和工件表面的气体和污物;使成膜过程中，膜层表面始终保持清洁状态。   (3) 磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪扩散层)，提高膜层附着强度;可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体，实现材料表面合金化，甚至出现新的晶相结构。   (4)磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。扬州硒化锑靶作用背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发终会造成靶材开裂或脱靶。

电子束镀膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控溅射镀膜 Pt-T4034 铂 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控溅射镀膜 Pd-T3575 钯 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控溅射镀膜 Ag-T4043 银 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Al-T5015 铝 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控溅射镀膜 Ti-T4543 钛 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Ni-T4562 镍 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控溅射镀膜 Cr-T4554 铬 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控溅射镀膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控溅射镀膜 Au-W5004 金 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Al-W5004 铝 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Ag-W4004 银 丝 99.99% φ1mm 热蒸发镀膜 W-W4011 镀铬钨丝 99.99% φ1*130mm 热蒸发镀膜 Au-W5002 键合金丝 φ25μm 500m/轴 耗材配件 W-B35310P 钼舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 钨舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型钨舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩埚 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 铜 坩埚 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 钨 坩埚 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 铂 坩埚 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨边 表面抛光  耗材配件 G-S4002 GGG衬底

PVD技术简介PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比，PVD有很多优点：如对环境无污染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。PVD技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物相沉积（PhysicalVaporDeposition），简称为PVD。行业内通常所说的“IP”（ionplating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作用，而统称为离子镀膜。化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能，是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此，如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法，它是在高温退火的条件下，使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光谱，对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中，非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单，但是存在光电转换效率低，寿命短，稳定性不好，并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广，而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性，能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。成都钡靶功能

再用手转紧对角线上的另外一颗镙栓，如此重复直到安装上所有镙栓后，再用工具收紧。扬州硒化锑靶作用

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点：   (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。扬州硒化锑靶作用

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