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时间:2021年09月16日 来源:

靶中毒的影响因素

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度,化合物覆盖面积增加,如果不能及时调整反应气体流量,化合物覆盖面积增加的速率得不到***,溅射沟道将进一步被化合物覆盖,当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。 请参考设备商操作手册中关于如何正确安装靶材的相关信息。上海铒靶功能

但下列情况绑定有弊端:

1.熔点低的靶材,像铟、硒等,金属化的时候可能会变软变形;

2.贵金属靶材,一是实际重量易出现分歧,二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料,建议垫一片铜片。

三.背靶的选择

对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右;

导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;

强度足够:太薄,易变形,不易真空密封;

结构要求:空心或者实心结构;

厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。 扬州钆靶在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。

真空离子镀厚功能镀膜代替现行电镀 真空离子镀厚特性: (1)不用酸碱盐、不用物、不产生六价鉻,没有三廢排放,对环境没有污染,对人体旡害。 (2)镀膜附着性好不易脱落,有过渡层。 (3)可镀制厚功能鍍膜有耐磨、耐蚀、耐热及特殊性能等镀膜。 (4)镀膜硬度可达Hv2000左右, 可据要求而定。 (5)镀膜厚度可达40微米以上,可据要求而定。 (6)工件基材钢铁为主,有色金属及其合金也可据要求采用。 应用领域:活塞环、轴承轴瓦、叶片、搬手、筛具、压铸模具、 量具、绞刀、丝锥、 板牙、五金工具、机床顶針、一般耐磨件、钳子口、零件修复等等。

PVD技术简介PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术,在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比,PVD有很多优点:如对环境无污染,是绿色环保工艺;对操作者无伤害;膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强,膜厚均匀。PVD技术中经常使用的方法主要有:蒸发镀膜(包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术)、溅射镀膜(包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术),这些方法统称物相沉积(PhysicalVaporDeposition),简称为PVD。行业内通常所说的“IP”(ionplating)离子镀膜,是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用,为了强调离子的作用,而统称为离子镀膜。使进气流量控制在产生靶中毒的前沿,确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。

为什么需在真空中镀膜? 在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜,事实上,如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果, 比如在10 2托数量级下蒸镀铝,得到的膜层不但不光亮,甚至发灰、发黑,而且机械强度极差,用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。 蒸镀必须在一定的真空条件下进行,这是因为: (1)较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。 由于气体分子的热运动,分子之间的碰撞也是极其频繁的,所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) 。 (2)在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下, 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ,它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短;它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应; 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜;它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命;它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。上海铒靶功能

如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。上海铒靶功能

购买靶材的注意事项有哪些许多用户在采购靶材时没有从专业的角度去考虑,下面为大家指出购买靶材时需要注意的事项。

对于所有的金属来说,纯度是靶材的主要性能指标之一,靶材的纯度对后期产品薄膜的性能影响很大。但是每一个产品对靶材的纯度要求也有不相同的地方。

其次就是靶材的杂质含量。在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。因为用处不一样,所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。比如现在的半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。 上海铒靶功能

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