成都氧化铟镓锌靶

时间:2021年10月27日 来源:

氧化物镀膜技术在真空镀铝膜中的应用 近年来,迅速发展微波加热技术给微波食品包装及需经微波杀 菌消毒的一类商品的包装提出了新的要求,即包装材料不要具有优良的阻隔性能,而且还要耐高温、微波透过性好等特性,传统的包装材料很难具备这些特点。因此,近年来日本、德国、美国等国家大力研究开发新型的高阻隔性包装材料——SiOX和其它金属氧化物镀膜复合材料。这类材料除了阻隔性能可以与铝塑复合材料相媲美外,同时还具有微波透过性好、耐高温、透明、受环境温度湿度影响小等优点。 非金属镀膜可采用蒸镀原料可采用SiOX、SiO2,也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等,其中常用的是SiOX、AlOx。氧化物镀膜的蒸发源有电阻式和电子束两种,电阻式蒸发源以电阻通过发热的原理来加热蒸镀原料,高加热温度可达1700℃。电子束蒸发源利用加速电子碰撞蒸镀原料而使其蒸发,蒸发源配有电子,在材料局部位置上而形成加热束斑,束斑温度可达3000~6000℃,能量密度高可达20KW/cm2。 实验表明只有PP、PET、PA等材料才能较适合氧化物镀膜加工。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。成都氧化铟镓锌靶

电致变色智能玻璃的特点:电致变色智能玻璃在电场作用下具有光吸收透过的可调节性,可选择性地吸收或反射外界的热辐射和内部的热的扩散,减少办公大楼和民用住宅在夏季保持凉爽和冬季保持温暖而必须消耗的大量能源。同时起到改善自然光照程度、防窥的目的。解决现代不断恶化的城市光污染问题。是节能建筑材料的一个发展方向。调光玻璃的调光原理是:在自然状态下(断电不加电场),它内部液晶的排列是无规则的,液晶的折射率比外面聚合物的折射率低,入射光在聚合物上发生散射,呈乳白色,即不透明。当加上电场(通电)以后,有弥散分布液晶的聚合物内液滴重新排列,液晶从无序排列变为定向有序排列,使液晶的折射率与聚合物的折射率相等,入射光完全可以通过,形成透明状态。成都氧化铟镓锌靶靶材密度越高,薄膜的性能越好。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

  通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

4..密度

为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。

高纯金属的纯度分析原则:高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质,不包括C,O,N,H等间隙元素,但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标,一般单独提出。依应用背景的不同,要求进行分析的杂质元素种类少则十几种,多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九)并不能真正的表达其纯度,只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准,例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99%,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17个杂质元素,Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02,但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶中毒时,溅射电压会***降低。

规格说明: 产品规格 靶材可定制 产品数量 1000 包装说明 双层真空包装 价格说明 1000 ◆  产品说明: 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 钯,是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气,使体积***胀大,变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量:106.4 密  度(20℃)/g•cm-3:12.02 熔  点/℃:1552 蒸发温度/℃:1460 沸  点/℃:3140 汽化温度/℃:1317 比 电 阻 率(0℃)/uΩ•cm:10.6 熔 化 热/kJ•mol-1:16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1:361.7 热 导 率(0~100℃)/J•(cm•s•℃)-1:0.753 电阻温度系 外  观:银白色 蒸 发 源(丝、片):W(镀Al2O3) 坩  埚:Al2O3 性  质:与难溶金属形成合金,闪烁蒸发,在EB 内激烈飞溅,钯是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。靶中毒的解决办法:控制镀膜模式的变换:在镀膜前,采集靶中毒的迟滞效应曲线。武汉富锂锰酸锂靶型号

反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。成都氧化铟镓锌靶

纯度

 纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”、 8”发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

2.杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。 成都氧化铟镓锌靶

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