南京铬靶材功能

时间:2021年10月30日 来源:

纯度:纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”、8”发展到12”,而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。杂质含量:靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶中毒后溅射速率低。南京铬靶材功能

NCVM不导电膜是什么,它有哪些特点? NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术,是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀,简称VM,是vacuum metallization的缩写。它是指金属材料在真空条件下,运用化学、物理等特定手段进行有机转换,使金属转换成粒子,沉积或吸附在塑胶材料的表面,形成膜,也就是我们所谓的镀膜。真空不导电电镀,又称NCVM,是英文Non conductive vacuum metallization的缩写。它的加工工艺高于普通真空电镀,其加工制程比普通制程要复杂得多。 NCVM特点是采用镀出金属及绝缘化合物等薄膜,利用各相不连续之特性,得到外观有金属质感且不影响到无线通讯传输之效果。首先要实现不导电,满足无线通讯产品的正常使用;其次要保证“金属质感”这一重要的外观要求;通过UV涂料与镀膜层结合,保证产品的物性和耐候性,满足客户需求。武汉铁靶材功能当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。

磁控溅射离子镀   (1)在基体和工件上是否施加(直流或脉冲)负偏压,利用负偏压对离子的吸引和加速作用,是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区别。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀 ;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀,这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。   (2)磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射,又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进行轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件表面的轰击,可有效基片和工件表面的气体和污物;使成膜过程中,膜层表面始终保持清洁状态。   (3) 磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪扩散层),提高膜层附着强度;可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体,实现材料表面合金化,甚至出现新的晶相结构。   (4)磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高,容易进行反应沉积,可以在较低温度下获得化合物膜层。

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的“溅射能量阀值”。真空镀膜中靶材中毒会出现哪些想象,如何解决?

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性,有时候表面光洁度比较低,出现“麻点”的现象,有时候会出现高蚀间隔带,在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带,有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的,就是由氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末按照一定的比例进行混合,通常质量比是90%In2O3和10% SnO2,形成的黑灰色陶瓷半导体(氧化铟锡,ITO)。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量,深灰色是好的,相反越黑质量越差,我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示,在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中,使用磁控溅射的方式,基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下,电阻率达到低,而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高,晶粒尺寸也逐渐增大,超过200℃后透射率趋于减弱;使用电子束蒸镀的方式,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,表面形貌均一稳定,超过600℃后颗粒变得大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜表面形貌破坏。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。CdS靶材厂家

正离子堆积:靶中毒时,靶面形成一层绝缘膜。南京铬靶材功能

作为本发明 的技术方案,所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板。作为本发明 的技术方案,所述靶材呈凹形结构。作为本发明 的技术方案,所述靶材包括用于溅射的溅射面。 地,所述溅射面包括***平、第二平面和斜面。作为本发明 的技术方案,所述斜面与水平面的夹角≤10°,例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等,但不限于所列举的数值,该范围内其他未列举的数值同样适用。作为本发明 的技术方案,所述斜面位于所述***平面和第二平面之间。 地,所述***平面为圆形。 地,所述第二平面为环形。作为本发明 的技术方案,所述靶材的材质包括铝、钽、钛或铜中的一种。作为本发明 的技术方案,所述背板的材质包括铜和/或铝。作为本发明 的技术方案,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为;所述靶材表面的硬度为20-30hv。南京铬靶材功能

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