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氧化物镀膜技术在真空镀铝膜中的应用 近年来，迅速发展微波加热技术给微波食品包装及需经微波杀 菌消毒的一类商品的包装提出了新的要求，即包装材料不要具有优良的阻隔性能，而且还要耐高温、微波透过性好等特性，传统的包装材料很难具备这些特点。因此，近年来日本、德国、美国等国家大力研究开发新型的高阻隔性包装材料——SiOX和其它金属氧化物镀膜复合材料。这类材料除了阻隔性能可以与铝塑复合材料相媲美外，同时还具有微波透过性好、耐高温、透明、受环境温度湿度影响小等优点。 非金属镀膜可采用蒸镀原料可采用SiOX、SiO2，也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等，其中常用的是SiOX、AlOx。氧化物镀膜的蒸发源有电阻式和电子束两种，电阻式蒸发源以电阻通过发热的原理来加热蒸镀原料，高加热温度可达1700℃。电子束蒸发源利用加速电子碰撞蒸镀原料而使其蒸发，蒸发源配有电子，在材料局部位置上而形成加热束斑，束斑温度可达3000～6000℃，能量密度高可达20KW/cm2。 实验表明只有PP、PET、PA等材料才能较适合氧化物镀膜加工。磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗？合肥硫化镉靶材绑定

溅射靶材的制备方法有哪些？溅射靶材是指通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜设备在适当工艺条件下溅射沉积在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。溅射靶材普遍应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域，不同领域需要的靶材各不相同。溅射靶材的制备：溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类，除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外，对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。粉末冶金法：粉末冶金法制备靶材时，其关键在于：(1)选择高纯、超细粉末作为原料；(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。杭州高纯合金靶材贴合金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。

锌锡合金，锌铝合金，锡镉合金，铜铟合金，铜铟镓合金，铜镓合金，以及锡，钼，钛等旋转靶材高纯铝靶材Al高纯铜靶材Cu高纯铁靶材Fe高纯钛靶材Ti高纯镍靶材Ni高纯镁靶材Mg高纯铬靶材Cr高纯锌靶材Zn高纯银靶材Ag高纯钴靶材Co高纯铌靶材Nb高纯锡靶材Sn高纯铟靶材In高纯锆靶材Zr高纯钽靶材Ta高纯锗靶材Ge高纯硅靶材Si高纯钨靶材W高纯铪靶材Hf高纯钇靶材Y高纯钆靶材Gd高纯钐靶材Sm高纯镝靶材Dy高纯铈靶材Ce高纯镧靶材La高纯金靶材Au高纯不锈钢靶材高纯石墨靶材C高纯硒靶材Se高纯钼靶材Mo高纯合金溅射靶材二元合金靶镍铬靶Ni-Cr镍铁靶Ni-Fe镍钴靶Ni-Co镍锆靶Ni-Zr镍铝靶Ni-Al镍铜靶Ni-Cu镍钒靶Ni-V铜铟靶Cu-In铜镓靶Cu-Ga铜硒靶Cu-Se钛铝靶Ti-Al铝硅靶Al-Si铝铜靶Al-Cu铝钛靶Al-Ti铝镁靶Al-Mg银铜靶Ag-Cu铁锰靶Fe-Mn铟锡靶In-Sn钴铁靶Co-Fe钨钛靶W-Ti锌铝靶Zn-Al铝钪靶Al-Sc铜锡靶Cu-Sn锆铝靶Zr-Al锆铁靶Zr-Fe锆硅靶Zr-Si钒铝靶V-Al硼铁靶B-Fe铝硅靶Al-Si硼铁靶B-Fe多元合金靶钴铁硼靶Co-Fe-B铜铟镓靶Cu-In-Ga铜铟镓硒靶Cu-In-Ga-Se等。旋转靶材用途编辑太阳能电池，建筑玻璃，汽车玻璃，半导体，平板电视等。

作为本发明 的技术方案，所述靶材的材质包括铝、钽、钛或铜中的一种。作为本发明 的技术方案，所述背板的材质包括铜和/或铝。作为本发明 的技术方案，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.75-6mm；所述靶材表面的硬度为20-30hv；其中，所述靶材的比较大厚度为20-30mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角≤10°；所述斜面位于所述***平面和第二平面之间；所述***平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括铝、钽、钛或铜中的一种；所述背板的材质包括铜和/或铝。与现有技术方案相比，本发明具有以下有益效果：本发明中，通过调整靶材表面的高度差及硬度，利用二者之间的协同效果保证溅射强度，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜   本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;   (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;   (5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。选择能实现快速致密化的成形烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并控制晶粒度。南京氧化铟镓锌靶材功能

纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。合肥硫化镉靶材绑定

真空技术中的清洁处理 (一)概述    真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命 和可靠性。 (二)污染物的几种类型 ①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等; ②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物; ④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等; ⑤空气中的尘埃及其它有机物。 (三)污染的形成及其影响 真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须掉污染物。合肥硫化镉靶材绑定

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