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直流磁控溅射制备锌-锑热电薄膜的技术探讨 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，热电薄膜化有助于热电材料减低热导率，从而能够有效的提高材料的热电转换效率，因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是采用的P 型热电半导体材料之一，但由于其较低的热电优值，所以没有得到普遍的应用。 但近几年研究发现，在263 K~767K 温度区间稳定存在的β-Zn4Sb3 具有非常优异的热电性能，材料少含稀土材料以及可适用于中温，被国内外认为是具有前景的中温热电材料之一。因此，本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。 结果表明，选取适当的溅射Zn和Sb的功率条件，溅射完成合金薄膜后在Ar 气氛下进行623 K 退火热处理，可形成具有单一β-Zn4Sb3相结构的Zn-Sb 热电薄膜，且薄膜颗粒大，较致密，所制备的热电薄膜具有优良的热电性能。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。成都铬镍铜靶材费用
电解锰片状99.7%1-10mm真空熔炼Co-F3501电解钴片状99.95%1-10mm真空熔炼Co-I3504电积钴块状99.95%40*40*5mm真空熔炼Co-G3533钴颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼W-G3536m真空熔炼Ta-G3533钽颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Nb-G3533铌颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Mo-G3533m真空熔炼Si-I5011多晶硅块状99.999%不规则块状真空熔炼In-G4501铟颗粒99.995%1-3mm真空熔炼Zr-I2402海绵锆块状99.4%3-25mm真空熔炼Hf-I2402海m真空熔炼Ge-G5006锗颗粒99.999%3-5mm真空熔炼La-I3011镧块状99.9%不规则块状真空熔炼Er-I3011铒块状99.9%不规则块状真空熔炼Dy-I3011镝块状99.9%不规则块状真空熔炼W-P3504钨粉末99.95%325目粉末冶金Al-P3504&nbs5目粉末冶金TiC-P2514碳化钛粉末99.5%3-5μm粉末冶金HfC-P2514碳化铪粉末99.5%3-5μm粉末冶金ZrB2-P2519二硼化锆粉末99.5%10μm粉末冶金Ti-F2612.2*L耗材配件Ta-F3513钽0*0.2mm耗材配件Nb-F3513*100*0.2mm耗材配件合金定制流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；苏州二氧化硅靶材贴合适用范围和背靶的选择三个方面来为大家介绍一下靶材绑定。
磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些，如何改善？ 1.脱膜主要表现：点状/片状膜层脱落 原因分析：杂质附着，清洗残留，真空室脏，脏污、油斑、灰点、口水点， 膜层局部附着不良等。 改善：加强清洗，加强烘烤，环境管控（清洁干燥），对于多层膜系，底层须与基材匹配（吸附力、硬度、热膨胀）。 2.裂纹/暴膜主要表现： 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜，出炉外观OK，放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析：镀膜过程基材加热不充分，成膜后及出炉后降温过快，膜层应力累积， 膜层与基材不匹配，多层膜之间参数不匹配。 改善： 基材充分预热加热；增加离子辅助，减小应力；镀膜缓慢降温；底层须与基材匹配；多层膜之间参数不突变。 3，色差主要表现：同炉产品颜色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布气；磁场；遮挡。
抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。靶材抛光装置100还包括：防护层400，所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。所述防护层400为弹性材料，能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲，避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。本实施例中，所述防护层400的厚度为30mm～35mm。若所述防护层400的厚度过小，所述防护层400起到的缓冲效果差，难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大，使得所述防护层400的体积过大，进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大，对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。
中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点： (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级; (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率; (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。 选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。制备过程严格控制杂质元素的引入。武汉五氧化二钽靶材绑定
许多用户在采购靶材时没有从专业的角度去考虑，下面为大家指出购买靶材时需要注意的事项。成都铬镍铜靶材费用
靶材抛光装置100对所述靶材600进行抛光时，将所述靶材抛光装置100放置于所述靶材600上，使所述抛光片第二部分320表面与所述靶材600的侧棱601表面相贴合，并使所述抛光片部分310表面与所述靶材溅射面610相贴合，且所述抛光片第三部分330表面与所述靶材600的侧壁表面630相贴合。操作人员利用所述把手推动所述靶材抛光装置100，所述靶材抛光装置100相对所述靶材600移动，移动方向平行与被抛光的所述侧棱601延伸方向。所述抛光片300表面的磨砂颗粒与靶材600表面相摩擦，以获得光亮、平整的靶材600表面。此外，还可以通过所述靶材抛光装置100同时对所述靶材600相交接的两个侧壁表面630进行抛光。具体的，所述抛光片***部分310与所述靶材600的一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第三部分330表面与所述靶材600的另一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第二部分320表面与位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面相贴合。操作人员相对所述靶材600移动所述靶材抛光装置100，移动方向平行与被抛光的所述侧棱601延伸方向，从而可同时对所述靶材600的两个侧壁表面630进行抛光，且还同时对位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面进行抛光，有助于提高抛光作业效率。成都铬镍铜靶材费用
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。