南通V2O5靶材绑定

时间:2021年11月27日 来源:

为确保足够的导热性,可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射头冷却壁的平整度,同时确保O型密封圈始终在位置上。由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内,所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理,确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。有些阴极设计是与阳极的空隙较小,所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体,否则会产生短路。请参考设备商操作手册中关于如何正确安装靶材的相关信息。在收紧靶材夹具时,请先用手转紧一颗镙栓,再用手转紧对角线上的另外一颗镙栓,如此重复直到安装上所有镙栓后,再用工具收紧。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。南通V2O5靶材绑定

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的“溅射能量阀值”。苏州三氧化二钒靶材真空镀膜中靶材中毒会出现哪些想象,如何解决?

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM),对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征,研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大,而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪,对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明:不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化,并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通过拉曼激光诱导晶化,结果表明:拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化,具有晶化速度快的特点;晶化过程中,需要控制激光强度,过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响   真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时,等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定,反之,在阴-阳极间距偏小时,将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时,如果阴-阳极间距过小,由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性,就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时,靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时,建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时,一般都不存在这方面问题;但是,在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题,磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。靶材密度越高,薄膜的性能越好。

本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种靶材抛光装置。背景技术:溅射镀膜属于物相沉积方法制备薄膜的工艺之一,具体是指利用高能粒子轰击靶材表面,使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出,并沉积在基材或工件表面,从而形成薄膜。由于背板具有良好的导电导热性能,且还可以起到固定支撑作用,因此,靶材在镀膜前需与背板焊接在一起,然后共同装配至溅射基台。一般活性金属靶材,例如铝靶材,由于长期暴露在空气中,靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮,导致靶材原子或分子难以逸出,因此在将靶材安装至溅射基台之前,需要对靶材表面进行抛光。此外,对于活性金属靶材及非活性金属靶材,抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性,有助于提高溅射镀膜质量。目前业内通常采用人工手动对靶材表面进行抛光,即操作人员手持砂纸对靶材的各个表面进行抛光,作业效率低。溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类。苏州HfC靶材厂家

在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。南通V2O5靶材绑定

背景技术:溅射镀膜属于物相沉积方法制备薄膜的工艺之一,具体是指利用高能粒子轰击靶材表面,使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出,并沉积在基材或工件表面,从而形成薄膜。由于背板具有良好的导电导热性能,且还可以起到固定支撑作用,因此,靶材在镀膜前需与背板焊接在一起,然后共同装配至溅射基台。一般活性金属靶材,例如铝靶材,由于长期暴露在空气中,靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮,导致靶材原子或分子难以逸出,因此在将靶材安装至溅射基台之前,需要对靶材表面进行抛光。此外,对于活性金属靶材及非活性金属靶材,抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性,有助于提高溅射镀膜质量。南通V2O5靶材绑定

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