南通硒化铬靶材型号

有一部分靶材在安装之前需要抛光，比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮，在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。所以结论就是，活性金属靶材要求表面抛光，不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。靶材安装及注意事项有哪些？溅射靶材安装过程中重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射头冷却壁之间建立很好的导热连接。如果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲，背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发终会造成靶材开裂或脱靶。在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高空间的导通能力，降低等离子体阻抗，导致溅射电压降低。南通硒化铬靶材型号

影响磁控靶溅射电压的主要因素有：靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。本文详细分析这些因素距对靶溅射电压的影响。

一、 靶面磁场对靶溅射电压的影响 1. 磁控靶的阴极工作电压，随着靶面磁场的增加而降低，也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而降低。溅射电流也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而加大。这是因为靶的溅射刻蚀槽面会越来越接近靶材后面的磁钢的强磁场。因此，靶材的厚度是有限制的。较厚的非磁性靶材能够在较强的磁场中使用。 2. 铁磁性靶材会对磁控靶的溅射造成影响，由于大部分磁力线从铁磁性材料内部通过，使靶材表面磁场减少，需要很高电压才能让靶面点火起辉。除非磁场非常的强，否则磁性材靶材必须比非磁性材料要薄，才能起辉和正常运行(永磁结构的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊设计最大值一般不宜超过3mm，Fe，co靶的最大值不超过2mm;电磁结构的靶可以溅射厚一些的靶材，甚至可达6mm厚)才能起辉和正常运行。正常工作时，磁控靶靶材表面的磁场强度为0.025T~0.05T左右;靶材溅射刻蚀即将穿孔时，其靶材表面的磁场强度大为提高，接近或大于0.1T左右。 杭州钼靶材厂家纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。

通过所述靶材抛光装置100同时对所述靶材600相交接的两个侧壁表面630进行抛光。具体的，所述抛光片部分310与所述靶材600的一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第三部分330表面与所述靶材600的另一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第二部分320表面与位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面相贴合。操作人员相对所述靶材600移动所述靶材抛光装置100，移动方向平行与被抛光的所述侧棱601延伸方向，从而可同时对所述靶材600的两个侧壁表面630进行抛光，且还同时对位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面进行抛光，有助于提高抛光作业效率。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点：   (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等，原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。

什么是真空镀铝膜，应用在哪些领域？ 真空镀铝薄膜是在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺，我国镀铝膜产能已达到40万吨。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品的包装。 真空镀铝薄膜是在高真空条件下，以电阻、高频或电子束等加热方式使铝熔化蒸发，在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺。在塑料薄膜或纸张表面镀上一层极薄的金属铝即成为镀铝薄膜或镀铝纸。 用于包装上的真空镀铝薄膜具有铝材用量少、耐折叠性高、阻隔性能高、抗静电等特点，使镀铝薄膜成为一种性能优良、经济美观的新型复合薄膜，在许多方面已取代了铝箔复合材料。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品等的包装。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。南京FeNi靶材贴合

不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。南通硒化铬靶材型号

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜   本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;   (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;   (5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。南通硒化铬靶材型号

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