常州氧化钐靶图片

时间:2021年12月03日 来源:

PVD技术简介PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术,在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比,PVD有很多优点:如对环境无污染,是绿色环保工艺;对操作者无伤害;膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强,膜厚均匀。PVD技术中经常使用的方法主要有:蒸发镀膜(包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术)、溅射镀膜(包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术),这些方法统称物相沉积(PhysicalVaporDeposition),简称为PVD。行业内通常所说的“IP”(ionplating)离子镀膜,是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用,为了强调离子的作用,而统称为离子镀膜。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。常州氧化钐靶图片

涂布技术在真空镀铝膜中的应用 将涂布技术与真空镀铝技术结合起来,通过在基材薄膜或镀铝薄膜上涂布功能层,以达到提高镀铝层的附着牢度、耐水煮性能、阻隔性能、装饰性能等,满足不同应用领域的要求。 一.经过等离子预处理的真空镀铝薄膜虽然镀铝层牢度有了明显提高,但对于一些对镀铝层附着牢度要求更高,或者需要用于水煮杀 菌条件时仍然不能满足要求。为了满足上述要求,通过在基材薄膜表面涂布一层丙烯酸类的化学涂层,该涂层不对镀铝层有优异的粘附性能,同时可以满足后续的水煮杀 菌条件。涂布后的包装可以满足巴氏杀 菌的要求,其镀铝层不会因为水煮而发生氧化。  二.为进一步提高镀铝膜的阻隔性能,同时保护镀铝层在后续的印刷、复合等加工过程中不被破坏,可以通过在镀铝层上涂布一层高阻隔的纳米涂层或聚合物涂层来实现。 三.为提高镀铝膜的装饰性能,在基材薄膜镀铝前或镀铝后进行各种颜色的涂布,或模压后再进行镀铝,使得镀铝膜具有多彩的颜色或具有镭射效果。此类产品可分为三种:包装用膜、装饰用膜、标示用膜。主要应用于礼品、礼盒的装饰或防伪包装用途,如食品、药品、玩具等的外包装以及酒等的防伪包装。常州硒化铅靶作用在收紧靶材夹具时,请先用手转紧一颗镙栓。

常见的PVD装饰膜主要有几大色系:1.IP玫瑰金(rosegold)是一种黄金和铜的合金,由于其具有非常时尚、靓丽的玫瑰红色彩,因而普遍用于首饰设计和加工。又称粉色金(pinkgold)、红色金(redgold)。2.IP金,用离子镀膜的方式,让靶材上的黄金沉积到要镀的工件之上,一般由仿金层和表面金层两层,表面金层的颜色与24K黄金一样,厚度可以根据客户的要求镀不同的厚度。3.仿金系列(包括仿金色和仿玫瑰金),不含黄金,一般成份是由TiNTiCNZrNZrCN等陶瓷化合物组成,但很难达到真金的亮度。4.银色系列,一般是铬的化合物,颜色深浅可调整,可分冷色系列和暖色系列,冷色系列带蓝调,金属光感好,暖色系列带黄调,接近不锈钢本色。5.黑色系列,一般是成份是金属的碳化物,颜色深浅可以调整,色调根据客户的要求也可以调整,不同的金属碳化物具有不同的特性和色调,可以根据客户的需要选择不同的膜系。6.蓝色系列,有天空蓝,冰蓝色,海洋蓝,深蓝等等,不同色系成份也有所不一样。

磁控溅射制备非晶硅薄膜   本实验采用石英玻璃为衬底,实验前先将玻璃衬底浸泡在溶液中,放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上,分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前,预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式, 溅射功率为100 W, 本底真空度6×10- 4 Pa , 溅射时间20 min,溅射气压0.5 Pa,衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式,溅射功率150 W,本底真空度6×10- 4 Pa,溅射时间120 min,溅射气压2.0 Pa,衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块,其中各保留一小块不做退火处理,其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃,2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法,研究非晶硅薄膜的晶化过程。通常是放热反应,反应生成热必须有传导出去的途径,否则,该化学反应无法继续进行。

一.靶材磁控溅射的原理是什么?磁控溅射原理:在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,溅射靶材在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),永久磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。

在电场的作用下,Ar气电离成正离子和电子,靶上加有一定的负高压,从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大,在阴极附近形成高密度的等离子体,Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面,以很高的速度轰击靶面,使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。 磁控溅射一般分为二种:直流溅射和射频溅射,其中直流溅射设备原理简单,在溅射金属时,其速率也快。 所以如果是表面容易变质的靶材,如果不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。常州铽靶作用

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。常州氧化钐靶图片

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数,其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外,还受靶面的功率密度,亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中,当靶材、溅射气体等业已选定之后,比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说,在磁控溅射正常工艺范围内,放电电压越高,磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比,因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个:一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说,磁控靶的溅射功率增高时,薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件,就是:加在磁控靶的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量,足以大过靶材的“溅射能量阀值”。常州氧化钐靶图片

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