成都Zr靶材图片
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种靶材抛光装置。背景技术：溅射镀膜属于物相沉积方法制备薄膜的工艺之一，具体是指利用高能粒子轰击靶材表面，使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出，并沉积在基材或工件表面，从而形成薄膜。由于背板具有良好的导电导热性能，且还可以起到固定支撑作用，因此，靶材在镀膜前需与背板焊接在一起，然后共同装配至溅射基台。一般活性金属靶材，例如铝靶材，由于长期暴露在空气中，靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮，导致靶材原子或分子难以逸出，因此在将靶材安装至溅射基台之前，需要对靶材表面进行抛光。此外，对于活性金属靶材及非活性金属靶材，抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性，有助于提高溅射镀膜质量。目前业内通常采用人工手动对靶材表面进行抛光，即操作人员手持砂纸对靶材的各个表面进行抛光，作业效率低。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。成都Zr靶材图片
主要产品：1、钯 颗粒 99.99%常规尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、钯 靶材 99.99%常规尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、电镜钯片常规尺寸：φ57*0.1mm*0.2mm4、钯 箔片 99.92mm等，尺寸可定做二、其他：打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工。回收流程如下：称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材产品编码产品名称规格应用Sc-I4006钪x真空熔炼Li-G30610锂颗粒99.9%φ6*10mm真空熔炼Sr-I2011锶块状99%氮气包装真空熔炼Mg-G3514镁颗粒99.93%4mm类球形真空熔炼Mg-I3503镁块状99.95%200g/块真空熔炼Fe-G3533铁颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Cr-G3501mm真空熔炼Al-G4066铝颗粒99.99%φ6*6mm真空熔炼Cu-G5033铜颗粒99.999%φ3*3mm真空熔炼Cu-G3533铜颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Ti-G3033钛颗粒99.9%φ3*3mm真空熔炼Ni-G3025镍颗粒99.9%φ2*5mm真空熔炼V-G3015钒颗粒99.9%树枝状真空熔炼Mn-F2701常州LiTaO3靶材工厂在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮。
靶中毒的解决办法（1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：1.靶材安装准确否?2.靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。3.起辉电源是否正常------------检查靶电源。4.靶与地线之间短路----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。5.永磁靶表面场强是否下降太多？---------如果下降太多，需要更换磁钢。6.起辉溅射真空度与前次的差别？---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。
背景技术：溅射镀膜属于物相沉积方法制备薄膜的工艺之一，具体是指利用高能粒子轰击靶材表面，使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出，并沉积在基材或工件表面，从而形成薄膜。由于背板具有良好的导电导热性能，且还可以起到固定支撑作用，因此，靶材在镀膜前需与背板焊接在一起，然后共同装配至溅射基台。一般活性金属靶材，例如铝靶材，由于长期暴露在空气中，靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮，导致靶材原子或分子难以逸出，因此在将靶材安装至溅射基台之前，需要对靶材表面进行抛光。此外，对于活性金属靶材及非活性金属靶材，抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性，有助于提高溅射镀膜质量。通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。
PECVD 制备氢化非晶硅薄膜 本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。 (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差; (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好; (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大; (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大; (5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。无锡氮化铝靶材
熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。成都Zr靶材图片
本实施例提供一种长寿命靶材组件，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.78mm；所述靶材表面的硬度为26hv；其中，所述靶材的比较大厚度为22mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为4°；所述斜面位于所述平面和第二平面之间；所述平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括钛；所述背板的材质包括铝。所得靶材组件溅射强度好，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。对比例1与实施例1的区别 在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.5mm；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。对比例2与实施例1的区别 在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为8mm；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。成都Zr靶材图片
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。