南通ATO靶材绑定

时间:2021年12月26日 来源:

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点:   (1)消除了靶面打弧放电现象,中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比,膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程,可以始终稳定在所设定的工作点上,为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同,使用单个磁控靶进行反应磁控溅射,调节相应的镀膜工艺参数,可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积,可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶中毒后溅射速率低。南通ATO靶材绑定

在其他实施例中,所述固定板200内侧面弯折处呈弧状,所述防护层400弯折处呈弧状,位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度均匀。此外,与前一实施例不同的是,所述抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为一体成型。且所述抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330厚度相等。所述靶材600呈长方体状,其顶部表面为靶材溅射面610,底部表面为靶材焊接面620,所述靶材焊接面620贴合于背板表面上,所述靶材600通过所述靶材焊接面620与背板焊接固定。所述靶材600具有四个侧壁表面630。南通铁镍靶材工厂真空镀膜中靶材中毒会出现哪些想象,如何解决?

磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al(AZO)薄膜的工艺探讨 目前主要的薄膜太阳能电池有:碲化镉(CdTe)系薄膜太阳能电池、硒铟铜(CIS)系薄膜太阳能电池、非晶硅系薄膜太阳能电池、晶硅系薄膜太阳能电池。研究人员研制出了价格低廉、原材料丰富且性能稳定的绒面ZnO∶Al陷光结构来作为薄膜太阳能电池的前电极。具有弹坑状绒面结构的AZO透明导电薄膜可以增强太阳光的散射作用,改善陷光效果,增加电池对太阳能的吸收量,提高薄膜太阳能电池的转换效率。磁控溅射镀膜工艺在玻璃衬底上制作AZO透明导电薄膜具有成膜速度快、膜层均匀、成膜面积大等优点,是较为合适的生产AZO薄膜的工艺方法。 目前由磁控溅射工艺生产透明导电薄膜AZO时所用靶材有两种类型:①陶瓷AZO靶材;②合金锌铝靶材。应根据实际情况,选择适合本企业的靶材产品。 作为一种新的TCO材料,AZO相对于ITO和FTO有很大优势,要大规模产业化还必须在如何降低设备及工艺成本上进一步研发。从根本上说,AZO薄膜的结构性能的好坏决定了其光电性能的优劣,必须在工艺参数上多做研究,实现高质量和低成本的双赢。

防护层为弹性材料,所述防护层的质地软,能够在所述固定板及靶材间提供缓冲,避免所述固定板触撞靶材导致靶材受损。具体实施方式:为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。一种靶材抛光装置100,包括:固定板200,所述固定板200包括顶板210和位于所述顶板210一侧的侧板220;抛光片300,位于所述固定板200内侧面上,其中位于固定板200弯折处的抛光片300呈弧状。固定板200能够起到支架的作用,以固定支撑所述抛光片300,便于操作人员使用所述靶材抛光装置100。顶板210呈矩形状,所述侧板220也呈矩形状。固定板200内侧面弯折处形成夹角。具体的,所述侧板220表面垂直于所述顶板210表面,即所述夹角为90°。在其他实施例中,所述夹角还可以大于90°且小于180°。不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。

任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。本发明涉及靶材领域,具体涉及一种长寿命靶材组件。背景技术:目前,现有的半导体溅射用ilc1013系列靶材的溅射寿命已经到了一个极限,为提高靶材的使用寿命,节省多次更换靶材的重复性。现有的技术都是通过磁场强度,把靶材表面设计成曲面来延长寿命,公开了一种靶材,包括靶材本体及基体,所述基体的至少一面设有所述靶材本体,所述靶材本体是由高纯度靶材合金粉末通过等离子弧喷涂机喷涂熔焊在所述基体上。所述基体与所述靶材本体的结合面为呈内凹的圆弧面。所述基体为矩形体或圆形。所述靶材的制造方法步骤如下:(1)准备合金粉体;(2)准备基体;(3)等离子转移弧喷涂成型;(4)、清理被喷涂层表面,按照步骤(3)的要求再次喷涂处理,直至获得要求厚度的靶材。本发明有益效果在于:一是生产的靶材无气孔残留;二是生产设备简单、投资小;三是靶材可以修复再利用。


所以如果是表面容易变质的靶材,如果不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。合肥SiAl靶材绑定

采用闭环控制反应气体的通入量。南通ATO靶材绑定

靶中毒现象:正离子堆积:靶中毒时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴极靶面,而是堆积在靶面上,容易产生冷场致弧光放电---打弧,使阴极溅射无法进行下去。(2)阳极消失:靶中毒时,接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜,到达阳极的电子无法进入阳极,形成阳极消失现象。靶中毒的物理解释:一般情况下,金属化合物的二次电子发射系数比金属的高,靶中毒后,靶材表面都是金属化合物,在受到离子轰击之后,释放的二次电子数量增加,提高了空间的导通能力,降低了等离子体阻抗,导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶中毒时,溅射电压会明显降低。金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样,一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶中毒后溅射速率低。(3)反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。南通ATO靶材绑定

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