无锡三氧化钨靶作用

时间:2022年01月23日 来源:

PVD技术常用的方法PVD基本方法:真空蒸发、溅射、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀),以下介绍几种常用的方法。电子束蒸发电子束蒸发是利用聚焦成束的电子束来加热蒸发源,使其蒸发并沉积在基片表面而形成薄膜。溅射沉积溅射是与气体辉光放电相联系的一种薄膜沉积技术。溅射的方法很多,有直流溅射、RF溅射和反应溅射等,而用得较多的是磁控溅射、中频溅射、直流溅射、RF溅射和离子束溅射。RF(射频)溅射RF溅射使用的频率约为13.56MHz,它不需要热阴极,能在较低的气压和较低的电压下进行溅射。RF溅射不可以沉积金属膜,而且可以沉积多种材料的绝缘介质膜,因而使用范围较广。电弧离子镀阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积,该技术材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。1. 靶材安装准确否? 2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质,打磨清理干净后即可。无锡三氧化钨靶作用

块状金属钯能吸收大量氢气,使体积胀大,变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼,常温下在空气和潮湿环境中稳定,加热至 800℃,钯表面形成一氧化钯薄膜。 二、主要产品: 1、钯 颗粒 99.99% 常规尺寸:φ3*6mm;量大可定做 2、钯 靶材 99.99%‍  常规尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸:φ57*0.1mm *0.2mm 4、钯 箔片 99.9 2mm等,尺寸可定做 二、其他 : 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工 。 回收流程如下: 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Sc-I4006 钪 x 真空熔炼 Li-G30610 锂 颗粒 99.9% φ6*10mm 真空熔炼 Sr-I2011 锶 块状 99% 氮气包装 真空熔炼 Mg-G3514 镁 颗粒 99.93% 4mm类球形 真空熔炼 Mg-I3503 镁 块状 99.95%  200g/块 真空熔炼 Fe-G3533 铁 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Cr-G3501 mm 真空熔炼 Al-G4066 铝 颗粒 99.99% φ6*6mm 真空熔炼 Cu-G5033 铜 颗粒 99.999% φ3*3mm 真空熔炼 Cu-G3533 铜 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Ti-G3033 钛 颗粒 99.9% φ3*3mm 真空熔炼 Ni-G3025 镍 颗粒 99.9% φ2*5mm 真空熔炼 V-G3015 钒 颗粒 99.9% 树枝状


无锡三氧化钨靶作用反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。

靶中毒的影响因素影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度,化合物覆盖面积增加,如果不能及时调整反应气体流量,化合物覆盖面积增加的速率得不到***,溅射沟道将进一步被化合物覆盖,当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。

将铁磁性靶材的厚度减薄是解决磁控溅射铁磁材料靶材的常见方法。如果铁磁性靶材足够薄,则其不能完全屏蔽磁场,一部分磁通将靶材饱和,其余的磁通将从靶材表面通过,达到磁控溅射的要求。这种方法的比较大缺点是靶材的使用寿命过短,同时靶材的利用率很低。而且薄片靶材的另一个缺点是溅射工作时,靶材的热变形严重,往往造成溅射很不均匀。一种对铁磁性靶材进行的改进设计是在靶材表面刻槽,槽的位置在溅射环两侧(见图1)。这种设计的靶材适用于具有一般导磁率的铁磁性靶材,例如镍。但对具有高导磁率的靶材料效果较差。虽然靶材的这种改进增加了靶材的成本,但这种措施无需对溅射阴极进行改动,能在一定程度上满足溅射铁磁性材料的需求。射靶材应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域。

磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al(AZO)薄膜的工艺探讨目前主要的薄膜太阳能电池有:碲化镉(CdTe)系薄膜太阳能电池、硒铟铜(CIS)系薄膜太阳能电池、非晶硅系薄膜太阳能电池、晶硅系薄膜太阳能电池。研究人员研制出了价格低廉、原材料丰富且性能稳定的绒面ZnO∶Al陷光结构来作为薄膜太阳能电池的前电极。具有弹坑状绒面结构的AZO透明导电薄膜可以增强太阳光的散射作用,改善陷光效果,增加电池对太阳能的吸收量,提高薄膜太阳能电池的转换效率。磁控溅射镀膜工艺在玻璃衬底上制作AZO透明导电薄膜具有成膜速度快、膜层均匀、成膜面积大等优点,是较为合适的生产AZO薄膜的工艺方法。目前由磁控溅射工艺生产透明导电薄膜AZO时所用靶材有两种类型:①陶瓷AZO靶材;②合金锌铝靶材。应根据实际情况,选择适合本企业的靶材产品。作为一种新的TCO材料,AZO相对于ITO和FTO有很大优势,要大规模产业化还必须在如何降低设备及工艺成本上进一步研发。从根本上说,AZO薄膜的结构性能的好坏决定了其光电性能的优劣,必须在工艺参数上多做研究,实现高质量和低成本的双赢。由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内。无锡三氧化钨靶作用

所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体,否则会产生短路。无锡三氧化钨靶作用

靶材材质对靶溅射电压的影响   1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。   2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。   3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低,可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。   4. 实际镀膜过程中,由于工作气体压力变化,或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化),或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配,同时选用了输出特性较软的靶电源等原因,导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值,则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈,就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光,以至不能溅射成膜的状况。无锡三氧化钨靶作用

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