武汉钴酸锂靶功能

时间:2021年02月15日 来源:

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此,如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法,它是在高温退火的条件下,使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X- ray 衍射及拉曼光谱,对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中,非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单,但是存在光电转换效率低,寿命短,稳定性不好,并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广,而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性,能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。武汉钴酸锂靶功能

6.起辉溅射真空度与前次的差别?---------更换不同的靶材,起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的,只有功率匹配调好了才能正常起辉。五.磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗?磁控溅射过程中,等离子体的离子撞击靶材,溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。溅射发生在靶材表面,靶材表面物理状态不均匀也没有关系,溅射的时候会先溅射凸起,溅射时间长了,靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。扬州钽靶功能除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外,对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。

靶中毒的影响因素影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度,化合物覆盖面积增加,如果不能及时调整反应气体流量,化合物覆盖面积增加的速率得不到***,溅射沟道将进一步被化合物覆盖,当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。

溅射靶材的制备溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类,除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外,对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。一、粉末冶金法粉末冶金法制备靶材时,其关键在于:(1)选择高纯、超细粉末作为原料;(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术,以保证靶材的低孔隙率,并控制晶粒度;(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。二、熔融铸造法熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。为保证铸锭中杂质元素含量尽可能低,通常其冶炼和浇注在真空或保护性气氛下进行。但铸造过程中,材料组织内部难免存在一定的孔隙率,这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅,从而影响溅射薄膜的质量。为此,需要后续热加工和热处理工艺降低其孔隙率。


由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子。

NCVM不导电膜是什么,它有哪些特点? NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术,是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀,简称VM,是vacuum metallization的缩写。它是指金属材料在真空条件下,运用化学、物理等特定手段进行有机转换,使金属转换成粒子,沉积或吸附在塑胶材料的表面,形成膜,也就是我们所谓的镀膜。真空不导电电镀,又称NCVM,是英文Non conductive vacuum metallization的缩写。它的加工工艺高于普通真空电镀,其加工制程比普通制程要复杂得多。 NCVM特点是采用镀出金属及绝缘化合物等薄膜,利用各相不连续之特性,得到外观有金属质感且不影响到无线通讯传输之效果。首先要实现不导电,满足无线通讯产品的正常使用;其次要保证“金属质感”这一重要的外观要求;通过UV涂料与镀膜层结合,保证产品的物性和耐候性,满足客户需求。靶与地线之间短路 ----------关掉机器,把设备的溅射靶卸下来,靶附近的零件仔细清洗一下。镇江锰酸镧靶费用

靶中毒时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴极靶面。武汉钴酸锂靶功能

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响,并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。


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