硒化锗靶价钱
直流磁控溅射制备锌-锑热电薄膜的技术探讨 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现,热电薄膜化有助于热电材料减低热导率,从而能够有效的提高材料的热电转换效率,因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是采用的P 型热电半导体材料之一,但由于其较低的热电优值,所以没有得到普遍的应用。 但近几年研究发现,在263 K~767K 温度区间稳定存在的β-Zn4Sb3 具有非常优异的热电性能,材料少含稀土材料以及可适用于中温,被国内外认为是具有前景的中温热电材料之一。因此,本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材,采用直流磁控共溅射技术,制备Zn-Sb 合金热电薄膜,研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。 结果表明,选取适当的溅射Zn和Sb的功率条件,溅射完成合金薄膜后在Ar 气氛下进行623 K 退火热处理,可形成具有单一β-Zn4Sb3相结构的Zn-Sb 热电薄膜,且薄膜颗粒大,较致密,所制备的热电薄膜具有优良的热电性能。5. 永磁靶表面场强是否下降太多? ---------如果下降太多,需要更换磁钢。硒化锗靶价钱
磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些,如何改善? 1.脱膜主要表现:点状/片状膜层脱落 原因分析:杂质附着,清洗残留,真空室脏,脏污、油斑、灰点、口水点, 膜层局部附着不良等。 改善:加强清洗,加强烘烤,环境管控(清洁干燥),对于多层膜系,底层须与基材匹配(吸附力、硬度、热膨胀)。 2.裂纹/暴膜主要表现: 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜,出炉外观OK,放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析:镀膜过程基材加热不充分,成膜后及出炉后降温过快,膜层应力累积, 膜层与基材不匹配,多层膜之间参数不匹配。 改善: 基材充分预热加热;增加离子辅助,减小应力;镀膜缓慢降温;底层须与基材匹配;多层膜之间参数不突变。 3,色差主要表现:同炉产品颜色不一致 原因分析及改善:靶材分布;布气;磁场;遮挡。成都碳化硼靶价钱果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲。
利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM),对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征,研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大,而随着衬底加热温度的增加而减小。 对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪,对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明:不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化,并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外,通过拉曼激光诱导晶化,结果表明:拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化,具有晶化速度快的特点;晶化过程中,需要控制激光强度,过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。
钯,是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气,使体积***胀大,变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量:106.4 密 度(20℃)/g•cm-3:12.02 熔 点/℃:1552 蒸发温度/℃:1460 沸 点/℃:3140 汽化温度/℃:1317 比 热 容(25℃)J•(g•K)-1:0.2443 电 阻 率(0℃)/uΩ•cm:10.6 熔 化 热/kJ•mol-1:16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1:361.7 热 导 率(0~100℃)/J•(cm•s•℃)-1:0.753 电阻温度系数(0~100℃)/℃-1:0.0038 外 观:银白色 蒸 发 源(丝、片):W(镀Al2O3) 坩 埚:Al2O3 性 质:与难溶金属形成合金,闪烁蒸发,在EB***内激烈飞溅,钯是银白色过渡金属,较软,有良好的延展性和可塑性,能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气,使体积***胀大,变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼,常温下在空气和潮湿环境中稳定,加热至 800℃,钯表面形成一氧化钯薄膜。 二、主要产品: 1、钯 颗粒 99.99%(点击查看详情) 常规尺寸:φ3*6mm;量大可定做。
此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。
为什么需在真空中镀膜? 在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜,事实上,如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果, 比如在10 2托数量级下蒸镀铝,得到的膜层不但不光亮,甚至发灰、发黑,而且机械强度极差,用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。 蒸镀必须在一定的真空条件下进行,这是因为: (1)较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。 由于气体分子的热运动,分子之间的碰撞也是极其频繁的,所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) 。 (2)在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下, 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ,它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短;它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应; 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜;它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命;它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。硒化锗靶价钱
所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体,否则会产生短路。硒化锗靶价钱
块状金属钯能吸收大量氢气,使体积胀大,变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼,常温下在空气和潮湿环境中稳定,加热至 800℃,钯表面形成一氧化钯薄膜。 二、主要产品: 1、钯 颗粒 99.99% 常规尺寸:φ3*6mm;量大可定做 2、钯 靶材 99.99% 常规尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸:φ57*0.1mm *0.2mm 4、钯 箔片 99.9 2mm等,尺寸可定做 二、其他 : 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工 。 回收流程如下: 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Sc-I4006 钪 x 真空熔炼 Li-G30610 锂 颗粒 99.9% φ6*10mm 真空熔炼 Sr-I2011 锶 块状 99% 氮气包装 真空熔炼 Mg-G3514 镁 颗粒 99.93% 4mm类球形 真空熔炼 Mg-I3503 镁 块状 99.95% 200g/块 真空熔炼 Fe-G3533 铁 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Cr-G3501 mm 真空熔炼 Al-G4066 铝 颗粒 99.99% φ6*6mm 真空熔炼 Cu-G5033 铜 颗粒 99.999% φ3*3mm 真空熔炼 Cu-G3533 铜 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Ti-G3033 钛 颗粒 99.9% φ3*3mm 真空熔炼 Ni-G3025 镍 颗粒 99.9% φ2*5mm 真空熔炼 V-G3015 钒 颗粒 99.9% 树枝状
硒化锗靶价钱
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市,是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司,溅射靶材充分借鉴国外的先进技术,并通过与国内外**研发机构合作,整合各行业资源优势,生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属,合金,陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累,已经拥有:真空热压,冷压烧结,真空熔炼,热等静压,等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材:平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台,冷压烧结炉一台,真空熔炼设备两台,等静压设备一台,等离子喷涂两套,绑定平台两套,各类机加工设备七台,检验设备若干,确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承:“一切以客户的需求为导向,客户的所有需求一次做好。”的发展理念。