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非晶硅薄膜的制备方法   非晶硅薄膜的制备方法有很多，如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有：化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下，使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组，从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高温退火和激光诱导晶化的方式，利用X- 射线衍射及拉曼光谱，对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮。上海氟化铈靶功能

影响磁控靶溅射电压的主要因素有：靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。本文详细分析这些因素距对靶溅射电压的影响。   一、 靶面磁场对靶溅射电压的影响 1. 磁控靶的阴极工作电压，随着靶面磁场的增加而降低，也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而降低。溅射电流也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而加大。这是因为靶的溅射刻蚀槽面会越来越接近靶材后面的磁钢的强磁场。因此，靶材的厚度是有限制的。较厚的非磁性靶材能够在较强的磁场中使用。   2. 铁磁性靶材会对磁控靶的溅射造成影响，由于大部分磁力线从铁磁性材料内部通过，使靶材表面磁场减少，需要很高电压才能让靶面点火起辉。除非磁场非常的强，否则磁性材靶材必须比非磁性材料要薄，才能起辉和正常运行(永磁结构的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊设计最大值一般不宜超过3mm，Fe，co靶的最大值不超过2mm;电磁结构的靶可以溅射厚一些的靶材，甚至可达6mm厚)才能起辉和正常运行。正常工作时，磁控靶靶材表面的磁场强度为0.025T~0.05T左右;靶材溅射刻蚀即将穿孔时，其靶材表面的磁场强度大为提高，接近或大于0.1T左右。

上海氟化铈靶功能靶材安装及注意事项有哪些？

电子束镀膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控溅射镀膜 Pt-T4034 铂 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控溅射镀膜 Pd-T3575 钯 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控溅射镀膜 Ag-T4043 银 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Al-T5015 铝 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控溅射镀膜 Ti-T4543 钛 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Ni-T4562 镍 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控溅射镀膜 Cr-T4554 铬 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控溅射镀膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控溅射镀膜 Au-W5004 金 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Al-W5004 铝 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Ag-W4004 银 丝 99.99% φ1mm 热蒸发镀膜 W-W4011 镀铬钨丝 99.99% φ1*130mm 热蒸发镀膜 Au-W5002 键合金丝 φ25μm 500m/轴 耗材配件 W-B35310P 钼舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 钨舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型钨舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩埚 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 铜 坩埚 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 钨 坩埚 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 铂 坩埚 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨边 表面抛光  耗材配件 G-S4002 GGG衬底

2、钯 靶材 99.99%‍  常规尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸：φ57*0.1mm；φ57*0.2mm；φ58*0.1mm；φ58*0.2mm 4、钯 箔片 99.99% 常规尺寸：100*100*0.2mm等，尺寸可定做 二、其他服务： 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工服务。 回收流程如下： 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 供应高纯靶,钯靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Au-G5034 金 颗粒 99.999% φ3*4mm 热蒸发、电子束镀膜 Pt-G4028 铂 颗粒 99.99% φ2*8mm 热蒸发、电子束镀膜 Ag-G4025 银 颗粒 99.99% φ2*5mm 热蒸发、电子束镀膜 Pd-G3536 钯 颗粒 99.95% φ3*6mm 热蒸发、电子束镀膜 Al-G5033 铝 颗粒 99.999% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Cr-G3501 铬 颗粒 99.95% 1-3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ti-G4533 钛 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ni-G4533 镍 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 S-G5002 硫 颗粒 99.999% 1-6mm 热蒸发、

通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。

纯度纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”、8”发展到12”,而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。2.杂质含量靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。靶中毒的解决办法：采用闭环控制反应气体的通入量。上海氟化铈靶功能

磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？上海氟化铈靶功能

高纯金属的概念： 任何金属都不能达到纯。“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于技术的发展，也常使“超纯”的标准升级。例如过去高纯金属的杂质为 ppm级（即百万分之几）,而超纯半导体材料的杂质达ppb级（十亿分之几）,并将逐步发展到以ppt级（一万亿分之几）表示。实际上纯度以几个“9”(N)来表示（如杂质总含量为百万分之一，即称为6个“9”或6N），是不完整概念，如电子器件用的超纯硅以金属杂质计算，其纯度相当于9 个“9”。 但如计入碳，则可能不到6个“9”。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”，后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度 9N 以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的， 因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。

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江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。