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时间:2022年04月19日 来源:

磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些,如何改善? 1.脱膜主要表现:点状/片状膜层脱落 原因分析:杂质附着,清洗残留,真空室脏,脏污、油斑、灰点、口水点, 膜层局部附着不良等。 改善:加强清洗,加强烘烤,环境管控(清洁干燥),对于多层膜系,底层须与基材匹配(吸附力、硬度、热膨胀)。 2.裂纹/暴膜主要表现: 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜,出炉外观OK,放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析:镀膜过程基材加热不充分,成膜后及出炉后降温过快,膜层应力累积, 膜层与基材不匹配,多层膜之间参数不匹配。 改善: 基材充分预热加热;增加离子辅助,减小应力;镀膜缓慢降温;底层须与基材匹配;多层膜之间参数不突变。 3,色差主要表现:同炉产品颜色不一致 原因分析及改善:靶材分布;布气;磁场;遮挡。在收紧靶材夹具时,请先用手转紧一颗镙栓。合肥碳化镍靶调试

什么是DLC薄膜?类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度,高电阻率。良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式,从而使其终产生不同的物质:金刚石(diamond)—碳碳以sp3键的形式结合;石墨(graphite)—碳碳以sp2键的形式结合。而类金刚石(DLC)—碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合,生成的无定形碳的一种亚稳定形态,它没有严格的定义,可以包括很宽性质范围的非晶碳,因此兼具了金刚石和石墨的优良特性;所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料,碳原子间的键合方式是共价键,主要包含sp2和sp3两种杂化键,而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。


成都碳氮化钛靶费用请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射冷却壁的平整度,同时确保O型密封圈始终在位置上。

PVD技术简介PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术,在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比,PVD有很多优点:如对环境无污染,是绿色环保工艺;对操作者无伤害;膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强,膜厚均匀。PVD技术中经常使用的方法主要有:蒸发镀膜(包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术)、溅射镀膜(包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术),这些方法统称物相沉积(PhysicalVaporDeposition),简称为PVD。行业内通常所说的“IP”(ionplating)离子镀膜,是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用,为了强调离子的作用,而统称为离子镀膜。

NCVM不导电膜是什么,它有哪些特点? NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术,是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀,简称VM,是vacuum metallization的缩写。它是指金属材料在真空条件下,运用化学、物理等特定手段进行有机转换,使金属转换成粒子,沉积或吸附在塑胶材料的表面,形成膜,也就是我们所谓的镀膜。真空不导电电镀,又称NCVM,是英文Non conductive vacuum metallization的缩写。它的加工工艺高于普通真空电镀,其加工制程比普通制程要复杂得多。 NCVM特点是采用镀出金属及绝缘化合物等薄膜,利用各相不连续之特性,得到外观有金属质感且不影响到无线通讯传输之效果。首先要实现不导电,满足无线通讯产品的正常使用;其次要保证“金属质感”这一重要的外观要求;通过UV涂料与镀膜层结合,保证产品的物性和耐候性,满足客户需求。


5. 永磁靶表面场强是否下降太多? ---------如果下降太多,需要更换磁钢。

电致变色智能玻璃的特点:电致变色智能玻璃在电场作用下具有光吸收透过的可调节性,可选择性地吸收或反射外界的热辐射和内部的热的扩散,减少办公大楼和民用住宅在夏季保持凉爽和冬季保持温暖而必须消耗的大量能源。同时起到改善自然光照程度、防窥的目的。解决现代不断恶化的城市光污染问题。是节能建筑材料的一个发展方向。调光玻璃的调光原理是:在自然状态下(断电不加电场),它内部液晶的排列是无规则的,液晶的折射率比外面聚合物的折射率低,入射光在聚合物上发生散射,呈乳白色,即不透明。当加上电场(通电)以后,有弥散分布液晶的聚合物内液滴重新排列,液晶从无序排列变为定向有序排列,使液晶的折射率与聚合物的折射率相等,入射光完全可以通过,形成透明状态。所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理,确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。成都碳氮化钛靶费用

压靶盖旋的过紧,没有和靶材之间留下适当的距离,调整距离即可。合肥碳化镍靶调试

高纯金属的概念: 任何金属都不能达到纯。“高纯”和“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。由于技术的发展,也常使“超纯”的标准升级。例如过去高纯金属的杂质为 ppm级(即百万分之几),而超纯半导体材料的杂质达ppb级(十亿分之几),并将逐步发展到以ppt级(一万亿分之几)表示。实际上纯度以几个“9”(N)来表示(如杂质总含量为百万分之一,即称为6个“9”或6N),是不完整概念,如电子器件用的超纯硅以金属杂质计算,其纯度相当于9 个“9”。 但如计入碳,则可能不到6个“9”。“超纯”的相对名词是指“杂质”,广义的杂质是指化学杂质(元素)及“物理杂质”,后者是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度 9N 以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的, 因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准,即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。


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