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靶中毒的解决办法（1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：1.靶材安装准确否?2.靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。3.起辉电源是否正常------------检查靶电源。4.靶与地线之间短路----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。5.永磁靶表面场强是否下降太多？---------如果下降太多，需要更换磁钢。6.起辉溅射真空度与前次的差别？---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。密度也是靶材的关键性能指标之一。常州硒化锑靶材

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响   真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时，等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定，反之，在阴-阳极间距偏小时，将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时，如果阴-阳极间距过小，由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性，就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时，靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时，建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时，一般都不存在这方面问题;但是，在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题，磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。无锡As靶材厂家不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。

磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al（AZO）薄膜的工艺探讨 目前主要的薄膜太阳能电池有：碲化镉（CdTe）系薄膜太阳能电池、硒铟铜（CIS）系薄膜太阳能电池、非晶硅系薄膜太阳能电池、晶硅系薄膜太阳能电池。研究人员研制出了价格低廉、原材料丰富且性能稳定的绒面ZnO∶Al陷光结构来作为薄膜太阳能电池的前电极。具有弹坑状绒面结构的AZO透明导电薄膜可以增强太阳光的散射作用，改善陷光效果，增加电池对太阳能的吸收量，提高薄膜太阳能电池的转换效率。磁控溅射镀膜工艺在玻璃衬底上制作AZO透明导电薄膜具有成膜速度快、膜层均匀、成膜面积大等优点，是较为合适的生产AZO薄膜的工艺方法。 目前由磁控溅射工艺生产透明导电薄膜AZO时所用靶材有两种类型：①陶瓷AZO靶材；②合金锌铝靶材。应根据实际情况，选择适合本企业的靶材产品。 作为一种新的TCO材料，AZO相对于ITO和FTO有很大优势，要大规模产业化还必须在如何降低设备及工艺成本上进一步研发。从根本上说，AZO薄膜的结构性能的好坏决定了其光电性能的优劣，必须在工艺参数上多做研究，实现高质量和低成本的双赢。

背景技术：溅射镀膜属于物相沉积方法制备薄膜的工艺之一，具体是指利用高能粒子轰击靶材表面，使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出，并沉积在基材或工件表面，从而形成薄膜。由于背板具有良好的导电导热性能，且还可以起到固定支撑作用，因此，靶材在镀膜前需与背板焊接在一起，然后共同装配至溅射基台。一般活性金属靶材，例如铝靶材，由于长期暴露在空气中，靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮，导致靶材原子或分子难以逸出，因此在将靶材安装至溅射基台之前，需要对靶材表面进行抛光。此外，对于活性金属靶材及非活性金属靶材，抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性，有助于提高溅射镀膜质量。金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外，还受靶面的功率密度，亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中，当靶材、溅射气体等业已选定之后，比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说，在磁控溅射正常工艺范围内，放电电压越高，磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比，因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个：一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说，磁控靶的溅射功率增高时，薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件，就是：加在磁控靶的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量，足以大过靶材的“溅射能量阀值”。

此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。山东氧化铝靶材

如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加。常州硒化锑靶材

磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些，如何改善？ 1.脱膜主要表现：点状/片状膜层脱落 原因分析：杂质附着，清洗残留，真空室脏，脏污、油斑、灰点、口水点， 膜层局部附着不良等。 改善：加强清洗，加强烘烤，环境管控（清洁干燥），对于多层膜系，底层须与基材匹配（吸附力、硬度、热膨胀）。 2.裂纹/暴膜主要表现： 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜，出炉外观OK，放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析：镀膜过程基材加热不充分，成膜后及出炉后降温过快，膜层应力累积， 膜层与基材不匹配，多层膜之间参数不匹配。 改善： 基材充分预热加热；增加离子辅助，减小应力；镀膜缓慢降温；底层须与基材匹配；多层膜之间参数不突变。 3，色差主要表现：同炉产品颜色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布气；磁场；遮挡。

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