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高纯金属的概念： 任何金属都不能达到纯。“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于技术的发展，也常使“超纯”的标准升级。例如过去高纯金属的杂质为 ppm级（即百万分之几）,而超纯半导体材料的杂质达ppb级（十亿分之几）,并将逐步发展到以ppt级（一万亿分之几）表示。实际上纯度以几个“9”(N)来表示（如杂质总含量为百万分之一，即称为6个“9”或6N），是不完整概念，如电子器件用的超纯硅以金属杂质计算，其纯度相当于9 个“9”。 但如计入碳，则可能不到6个“9”。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”，后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度 9N 以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的， 因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
1. 靶材安装准确否? 2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。武汉冰晶靶功能
PECVD制备氢化非晶硅薄膜本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120Pa，射频功率100W，气体流量SiH4/H2=15/5sccm，沉积时间30min，制备得到a-Si：H薄膜样品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;(4)随着溅射时间的增加,膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;(5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。上海铁酸铋靶价钱在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。
真空技术中的清洁处理(一)概述真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命和可靠性。(二)污染物的几种类型①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等;②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等;③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物;④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等;⑤空气中的尘埃及其它有机物。(三)污染的形成及其影响真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须掉污染物。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。4..密度为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。
气体压强对靶溅射电压的影响 在磁控溅射或反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，工作气体或反应气体压强对磁控靶溅射电压能够造成一定的影响。 1.工作气体压强对靶溅射电压的影响 一般的规律是：在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着工作气体(如氩气)压强(0.1~10Pa)的逐步增加，气体放电等离子体的密度也会同步增加，致使等离子体等效阻抗减小，磁控靶的溅射电流会逐步上升，溅射工作电压亦会同步下降。 2. 反应气体压强对靶溅射电压的影响 在反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着反应气体(如氮气、氧气)压强(或流量)的逐步增加(一般应注意不要超过工艺设定值的上限值)，随着磁控靶面和基片(工件)表面逐步被绝缘膜层覆盖，阴-阳极间放电的等效阻抗也会同步增高，磁控靶的溅射电流会逐步下降(直至“阴极中毒”和“阳极消失”为止)，溅射工作电压亦会同步上升。影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。上海铁酸铋靶价钱
溅射靶材射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。武汉冰晶靶功能
等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成，其中电子和离子的电荷总数基本相等，故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前，通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的凹陷，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使镀铝基材薄膜的表面自由能提高，达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同，如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理，美国Applied Material公司称之为辉光放电，英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外，不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同，多数公司使用氧气和氩气的组合，也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%，且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。
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江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。