无锡可编程存储器技术服务

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要应用于代码存储介质中，而NAND则用于数据存储。存储器芯片认准千百路科技，提供全系列存储器芯片。无锡可编程存储器技术服务

AT24C08提供8192位的串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，组织形式为1024字×8位字长。AT24C08适用于许多要求低功耗和低电压操作的工业级或商业级应用。工作温度范围:-40°C~+85°C。器件标号:24，器件标记:24C04，存储器电压Vcc:2.5V，存储器类型:EEPROM，接口类型:Serial,I2C，电压,Vcc:5.5V，电源电压:5.5V，电源电压:1.8V，片标号:24C04，表面安装器件:通孔安装，逻辑功能号:24C04，频率:1MHz。AT24C02是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储芯片。中文名称ATt24c04,存储器配置512x8bit,封装类型DIP,针脚数8,存储器容量4Kbit.增城静态只读存储器代理商深圳存储器**，提供系列存储器芯片IC，性价比高。

存储器的基本概念元素----存储器：存放程序和数据的器件。存储位：存放一个二进制数位的存储单元，是存储器比较小的存储单位，或称记忆单元。存储字：一个数（n位二进制位）作为一个整体存入或取出时，称存储字。存储单元：存放一个存储字的若干个记忆单元组成一个存储单元。存储体：大量存储单元的组成存储体。存储单元地址：存储单元的编号。字编址：对存储单元按字编址。字节编址：对存储单元按字节编址。寻址：由地址寻找数据，从对应地址的存储单元中访存数据。

AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系统可编程Flash存储器。使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统内编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash，使得AT89S52在众多嵌入式控制应用系统中得到广泛应用。主要性能1、与MCS-51单片机产品兼容;2、8K字节在系统可编程Flash存储器;3、1000次擦写周期;4、全静态操作:0Hz-33MHz;5、三级加密程序存储器;6、32个可编程I/O口线;7、三个16位定时器/计数器;8、6个中断源;9、全双工UART串行通道;10、低功耗空闲和掉电模式;11、掉电后中断可唤醒;12、看门狗定时器;13、双数据指针;14、掉电标识符。14、掉电标识符。进口芯片厂家，原厂存储器芯片现货，深圳代理经销商提供一站式服务。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]存储器芯片代理分销企业，全新系列存储器芯片IC。南京可编程存储器作用

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MOSFET（用于CMOS）—低功耗，现在应用广。根据功能分类---异步—单独的时钟频率，读写受控于地址线与控制使能信号。同步—所有工作是时钟脉冲边沿开始，地址线、数据线、控制线均与时钟脉冲配合。根据特性分类---零总线翻转（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM总线从写到读以及从读到写所需要的时钟周期是0同步突发SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、单口读/写，双数据率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分开的读/写口，同时读写4个字（word）。根据触发类型---二进制SRAM三进制计算机SRAM无锡可编程存储器技术服务

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