广州可擦可编程只读存储器原理

SRAM的主要用途---主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。存储器芯片IC系列实时报价-现货服务。广州可擦可编程只读存储器原理

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]东莞折叠可编程只读存储器专卖存储器芯片IC哪家好？选择千百路科技，服务好，价格实惠，现货库存。

作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品(比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具)服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者，产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合，ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片，以满足当今电子系统设计工程师不断增长和演进的需求。

动态存储器(DRAM)的工作原理----动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。寻找存储器芯片就找「千百路」，提供样板，帮助选型，用心选择。

AT24C02功能描述：支持I2C，总线数据传送协议I2C，总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器，但由主器件控制传送数据(发送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以组成000~111八种情况，即通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将比较多8个AT24C02器件连接到总线上，通过进行不同的配置进行选择器件。深圳原装存储器芯片，深圳电子元器件供应商。广州存储器现货库存

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MOSFET（用于CMOS）—低功耗，现在应用广。根据功能分类---异步—单独的时钟频率，读写受控于地址线与控制使能信号。同步—所有工作是时钟脉冲边沿开始，地址线、数据线、控制线均与时钟脉冲配合。根据特性分类---零总线翻转（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM总线从写到读以及从读到写所需要的时钟周期是0同步突发SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、单口读/写，双数据率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分开的读/写口，同时读写4个字（word）。根据触发类型---二进制SRAM三进制计算机SRAM广州可擦可编程只读存储器原理

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