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AT24C08提供8192位的串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，组织形式为1024字×8位字长。AT24C08适用于许多要求低功耗和低电压操作的工业级或商业级应用。工作温度范围:-40°C~+85°C。器件标号:24，器件标记:24C04，存储器电压Vcc:2.5V，存储器类型:EEPROM，接口类型:Serial,I2C，电压,Vcc:5.5V，电源电压:5.5V，电源电压:1.8V，片标号:24C04，表面安装器件:通孔安装，逻辑功能号:24C04，频率:1MHz。AT24C02是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储芯片。中文名称ATt24c04,存储器配置512x8bit,封装类型DIP,针脚数8,存储器容量4Kbit.存储器芯片代理，提供全系列进口原装存储器IC-欢迎垂询。南沙静态只读存储器现货库存

SRAM(静态数据随机存取存储器)主要用于：通用性的商品。asynchronous界面，比如28针32Kx8的chip(一般取名为XXC256)，及其相近的商品数比较多16Mbit一片;synchronous界面，一般用作高速缓存(cache)及其它规定突发传送的应用，比较多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之内。作为微处理器的RAM或是cache(一般从32bytes到128kilobytes);作为强劲的微控制器的主caches，如x86系列与很多其它CPU(从8kiB到上百万字节数的数量级)。作为寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在几千字节数量级);用于FPGA与CPLD。

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AT24C02芯片是怎么删除所存储的数据？这里分享一些工程师的经验：删除AT24C02的数据只要写255就行了。更具体的方法请详细查证。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所谓EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，是ROM的一种。它是只读存储器，即掉电可继续存储数据，而同时又可以在高于普通电压的作用下擦除和重写，这就方便了单片机对其的开发，现在电脑上的ROM很多都是用的EEPROM。存储器原理现以DRAM(动态存储器)为例来讲解存储器的工作原理。对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。

只读存储器(ReadOnlyMemory)ROM是只读存储器。顾名思义，它的特点是只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是采用掩膜技术由厂家一次性写入的，并长久保存下来。它一般用来存放专门用的固定的程序和数据。不会因断电而丢失。CMOS存储器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互补金属氧化物半导体内存)COMS内存是一种只需要极少电量就能存放数据的芯片。由于耗能极低，CMOS内存可以由集成到主板上的一个小电池供电，这种电池在计算机通电时还能自动充电。因为CMOS芯片可以持续获得电量，所以即使在关机后，他也能保存有关计算机系统配置的重要数据。全新全型号存储芯片品质服务，服务生产厂家和经销商。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]存储器原厂供货-批零价格优势、质量保障。福建顺序存储器电话咨询

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动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大[1]，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。南沙静态只读存储器现货库存

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