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动态随机存储器（DynamicRAM），“动态”两字指的是每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。这是因为DRAM的基本单元是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM的电容充电，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储模式也使得DRAM的集成度远高于SRAM，一个DRAM存储单元只需一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及价格方面均比SRAM有优势。SRAM多用于对性能要求极高的地方（如CPU的一级二级缓冲），而DRAM则主要用于计算机的内存条等领域。专业存储器IC，提供原装芯片样品，现货系列，保证质量。花都掩膜只读存储器组成

SRAM的主要规格--一种是置于cpu与主存间的高速缓存，分两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（CacheMemory）；另一种是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在PentiumCPU就有所谓的L1Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1Cache是建在CPU的内部，L2Cache是设计在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同时设计在CPU的内部，故PentiumPro的体积较大。PentiumⅡ又把L2Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM速度快，不需要刷新操作，缺点是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。中山可擦可编程只读存储器专卖存储器原厂供货-批零价格优势、质量保障。

SRAM(静态数据随机存取存储器)主要用于：通用性的商品。asynchronous界面，比如28针32Kx8的chip(一般取名为XXC256)，及其相近的商品数比较多16Mbit一片;synchronous界面，一般用作高速缓存(cache)及其它规定突发传送的应用，比较多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之内。作为微处理器的RAM或是cache(一般从32bytes到128kilobytes);作为强劲的微控制器的主caches，如x86系列与很多其它CPU(从8kiB到上百万字节数的数量级)。作为寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在几千字节数量级);用于FPGA与CPLD。

ATMEL的主要市场。ATMEL专注于高增长的电子设备市场，如通讯、计算、消费类产品、安全产品、汽车电子和工业应用。在通讯领域，ATMEL可以提供一系列从手机的FLASH存储器到无线语音和数据通讯所需的复杂元件和芯片集。不断壮大的基带控制器和射频元件家族则瞄准了传统的市场以及新兴的市场，如WLAN和蓝牙，以及正为网络和消费产品快速接受的高带宽无线互连技术。根据预测，随着移动电话技术从2.5G到3G的演进，一个基于公共通讯协议UMTS，地域上覆盖欧洲、USA和亚洲，数量高达几十亿的手机市场将得以产生。ATMEL可以为这个市场提供基于SiGe工艺的RF射频元件，基带处理器和非易失性存储器。作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品（比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具）服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备。深圳存储器芯片采购就是选千百路科技，一家专注存储器系列芯片的公司，超全型号。

AT24C02芯片是怎么删除所存储的数据？这里分享一些工程师的经验：删除AT24C02的数据只要写255就行了。更具体的方法请详细查证。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所谓EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，是ROM的一种。它是只读存储器，即掉电可继续存储数据，而同时又可以在高于普通电压的作用下擦除和重写，这就方便了单片机对其的开发，现在电脑上的ROM很多都是用的EEPROM。存储器原理现以DRAM(动态存储器)为例来讲解存储器的工作原理。对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。专业提供进口原装存储器芯片、国产原装大品牌电源管理芯片。海珠随机存储器好不好

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动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大[1]，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。花都掩膜只读存储器组成

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