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作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品(比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具)服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者，产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合，ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片，以满足当今电子系统设计工程师不断增长和演进的需求。采购存储器芯片？选择千百路科技，全型号存储器、寄存器电子元器件，质量保障。北京顺序存储器电话咨询

AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系统可编程Flash存储器。使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统内编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash，使得AT89S52在众多嵌入式控制应用系统中得到广泛应用。主要性能1、与MCS-51单片机产品兼容;2、8K字节在系统可编程Flash存储器;3、1000次擦写周期;4、全静态操作:0Hz-33MHz;5、三级加密程序存储器;6、32个可编程I/O口线;7、三个16位定时器/计数器;8、6个中断源;9、全双工UART串行通道;10、低功耗空闲和掉电模式;11、掉电后中断可唤醒;12、看门狗定时器;13、双数据指针;14、掉电标识符。14、掉电标识符。越秀只读存储器原厂授权分销商专业存储器代理分销公司，提供全系列存储器芯片，配套元器件。

SRAM的主要用途---主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

ATMEL的主要市场。ATMEL专注于高增长的电子设备市场，如通讯、计算、消费类产品、安全产品、汽车电子和工业应用。在通讯领域，ATMEL可以提供一系列从手机的FLASH存储器到无线语音和数据通讯所需的复杂元件和芯片集。不断壮大的基带控制器和射频元件家族则瞄准了传统的市场以及新兴的市场，如WLAN和蓝牙，以及正为网络和消费产品快速接受的高带宽无线互连技术。根据预测，随着移动电话技术从2.5G到3G的演进，一个基于公共通讯协议UMTS，地域上覆盖欧洲、USA和亚洲，数量高达几十亿的手机市场将得以产生。ATMEL可以为这个市场提供基于SiGe工艺的RF射频元件，基带处理器和非易失性存储器。作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品（比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具）服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备。深圳存储器**，提供系列存储器芯片IC，性价比高。

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，现在应用广。根据功能分类---异步—单独的时钟频率，读写受控于地址线与控制使能信号。同步—所有工作是时钟脉冲边沿开始，地址线、数据线、控制线均与时钟脉冲配合。根据特性分类---零总线翻转（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM总线从写到读以及从读到写所需要的时钟周期是0同步突发SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、单口读/写，双数据率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分开的读/写口，同时读写4个字（word）。根据触发类型---二进制SRAM三进制计算机SRAM深圳进口芯片，深圳原装IC，原厂现货经销。北京顺序存储器电话咨询

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动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大[1]，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。北京顺序存储器电话咨询

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