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    当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的很大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有很大访问（读）次数的限制。FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成,但这个电容不是一般的电容,在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容,称为“双管双容”（2T2C）,每个存储单元包括数据位和各自的参考位。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位,而不是对于每一数据位使用各自单独的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低,而且容量更大。FRAM保存数据不是通过电容上的电荷。深圳存储器IC芯片，全系列存储器多库存，提供样品，元器件配套。可编程存储器技术服务

    再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构。内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广为应用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动,NAND闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度很大地影响了它的性能。无锡可编程存储器现货库存存储器芯片库存报价。

因此DRAM不适合作为启动、应用程序、操作系统等等代码(Code)存储使用,系统须搭配其他非易失性存储器来执行代码存储功能。另外,由于其多路寻址技术,DRAM也相对较慢。DRAM行地址选择和列行地址选择让随机读取需花费25到300奈秒(ns)的时间,而这个延长的时间导致更高的总能量消耗。闪存存储的数据不会衰减,断电后可以保持其内容多年,但NOR闪存比DRAM贵很多,而NAND闪存是顺序读取而且无法存取至特定的字节。这与计算机运算随机寻址读取的需求并不匹配。所以NAND闪存必须与DRAM配对才能用于代码存储使用。与DRAM一样,NAND闪存也具有某些特性导致其消耗的功率超出预期。首先,它需要使用片上(On-Chip)电荷泵产生高内部电压。其次NAND闪存的写入速度也很慢。麻烦的是,NAND闪存在写入时不能直接覆盖旧数据,在将新数据写入闪存之前须先擦除(Erase)原有存储的数据,并且必须一次写入整个页面(Page,通常为8,096字节),无法只写入单一特定的字节。闪存技术不使用相同的机制来编程或擦除内容,不能只擦除单位(bit)、字节(byte)或页面,而是必须整块(Block),个块通常包含数十万个页面。页面写入是一个缓慢且耗能的过程,通常需要300微秒(μs)时间并消耗80微焦耳(与读取时的2微焦耳相比)能量。

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。特点：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在关闭电源的情况下，数据也能得以保存而不丢失。相对而言，传统半导体存储器如eSRAM需要依赖持续供电以保存数据（易失性）。另外，相比于同样是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作电压与逻辑电压一致（1.1V），而不像eFlash那样需要高电压（8-12V），且其写入过程不需要先进行擦写操作。2.速度快、耐久力强：相较eFlash微秒级的擦写速度，eMRAM可达到纳秒量级，接近eSRAM。耐久力强，指的是eMRAM可反复擦写的次数几乎接近于无限次,高于eFlash。国产存储器品类和质量都在不断提高，越来越多的电子产品选型国产存储器。

    FLASH闪存的英文名称是"FlashMemory",一般简称为"Flash",它属于内存器件的一种,是一种非易失性（Non-Volatile）内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。闪存是一种非易失性（Non-Volatile）内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。NAND闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节,若干页则组成储存块,NAND的存储块大小为8到32KB）,这种结构的优点在于容量可以做得很大,超过512MB容量的NAND产品相当普遍,NAND闪存的成本较低,有利于大规模普及。NAND闪存的缺点在于读速度较慢,它的I/O端口只有8个,比NOR要少多了。这区区8个I/O端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。专业存储器代理经销，提供全系列进口存储器芯片IC-千百路工业科技。可编程存储器技术服务

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    NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度。并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。Flash存储器性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5ms,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作至多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。●NOR的读速度比NAND稍快一些。●NAND的写入速度比NOR快很多。●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5ms快。●大多数写入操作需要先进行擦除操作。●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。Flash存储器接口差别NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址。可编程存储器技术服务

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