珠海嵌入式控制存储器原理和电路图

    铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出较早个4K位的铁电存储器FRAM产品,所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。FRAM有新的发展,采用了um工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,很大密度可达256K位。首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术,浮动栅存储单元包含一个电隔离门,浮动栅位于标准控制栅的下面及通道层的上面。浮动栅是由一个导电材料,通常是多芯片硅层形成的(如图2所示)。浮动栅存储单元的信息存储是通过保存浮动栅内的电荷而完成的。利用改变浮动栅存储单元的电压就能达到电荷添加或擦除的动作,从而确定存储单元是在”1”或“0”的状态。但是浮动栅技术需使用电荷泵来产生高电压,迫使电流通过栅氧化层而达到擦除的功能,因此需要5-10ms的擦写延迟。高写入功率和长期的写操作会破坏浮动栅存储单元,从而造成有限的擦写存储次数（例如：闪存约十万次,而EEPROM则约1百万次)。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器,是采用人工合成的铅锆钛(PZT)材料形成存储器结晶体,如图3所示。当一个电场被施加到铁晶体管时。缺芯虽有负面影响，但也为国产芯片得发展提供了更多的机会，国产替换呼声日高。珠海嵌入式控制存储器原理和电路图

    所有的ATMEL地点都经过ISO9001认证,大多数经过QS9000认证,有一些还通过了旨在保护环境的ISO14001认证。所有ATMEL的运作都受公司内部详细的质量规范所控制,并定期进行回顾和更新。其目的就是进行持续不断的改进,提高客户的总体满意度。ATMDL的质量体系二：ATMEL的质量小组与客户合作进行质量审计,以保证ATMEL符合客户的质量要求。从客户项目获得的经验将反馈到下一次产品的生产。ATMEL保持产品和技术更新的方法是已经在实行的研究和开发的合作。研发项目与主要客户和大学合作进行,从而获得先进的功能模块,以及工艺技术的改进。存储器的工作原理：对动态存储器进行写入操作时,行地址首先将RAS锁存于芯片中,然后列地址将CAS锁存于芯片中,WE有效,写入数据,则写入的数据被存储于指定的单元中。对动态存储器进行读出操作时,CPU首先输出RAS锁存信号,获得数据存储单元的行地址,然后输出CAS锁存信号,获得数据存储单元的列地址,保持WE=1,便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。作为非易失性存储器技术的创建之父,ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品(比如PC,存储产品,DVD,娱乐平台,游戏和玩具)服务的复杂产品之中。惠州存储器国产替代原厂存储器芯片IC系列报价-现货库存服务。

ATMEL的非易失性存储技术：作为非易失性存储器技术元老,ATMEL将把非易失性这个重要技术集成到为计算和消费产品服务的复杂产品之中,例如PC,存储产品,DVD,娱乐平台,游戏产品和玩具等。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系外,ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工控、图像处理和汽车设备上。ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者,产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合,ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片,以满足当今电子工程师不断增长和演进的需求。

    内存储器在程序执行期间被计算机频繁使用,并在一个指令周期期间可直接访问。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。这与学生在课堂上做笔记相类似。如果学生没有看笔记就知道内容,信息就被存储在“内存”中。如果学生必须查阅笔记,那么信息就在“外存储器”中。内存储器有很多类型。随机存取存储器(RAM)在计算期间被用作高速暂存记忆区。数据可以在RAM中存储、读取和用新的数据代替。当计算机在运行时RAM是可得到的。它包含了放置在计算机此刻所处理的问题处的信息。大多数RAM是“不稳定的”,这意味着当关闭计算机时信息将会丢失。只读存储器(ROM)是稳定的。它被用于存储计算机在必要时需要的指令集。存储在ROM内的信息是硬接线的（属于电子元件的一个物理组成部分）,且不能被计算机改变（故为“只读”）。可变的ROM称为可编程只读存储器(PROM),可以将其暴露在一个外部电器设备或光学器件（如激光）中来改变,PROM的重新编程是可能的,但不是常规。数字成像设备中的内存储器必须足够大以存放至少一幅数字图像。一幅512x512x8位的图像需要1/4兆字节。因此,一台处理几幅这样的图像的成像设备需要几兆字节的内存。存储器有哪些分类呢？

程序存储器为只读存储器,数据存储器为随机存取存储器。从物理地址空间看,共有4个存储地址空间,即片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器,I/O接口与外部数据存储器统一编址。存储器存储系统的层次结构：为提高存储器的性能,通常把各种不同存储容量、存取速度和价格的存储器按层次结构组成多层存储器,并通过管理软件和辅助硬件有机组合成统一的整体,使所存放的程序和数据按层次分布在各存储器中。主要采用三级层次结构来构成存储系统,由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助存储器组成。自上向下容量逐渐增大,速度逐级降低,成本则逐次减少。整个结构可看成主存一辅存和Cache-主存两个层次。在辅助硬件和计算机操作系统的管理下,可把主存一辅存作为一个存储整体,形成的可寻址存储空间比主存储器空间大得多。由于辅存容量大,价格低,使得存储系统的整体平均价格降低。Cache-主存层次可以缩小主存和CPU之间的速度差距,从整体上提高存储器系统的存取速度。一个较大的存储系统由各种不同类型的存储设备构成,形成具有多级层次结构的存储系统。该系统既有与CPU相近的速度,又有大容量,而价格又是较低的。可见。辅助存储器是计算机中的长期存储器，它通常由硬盘驱动器或固态硬盘驱动器组成。双端口存储器原理和电路图

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    可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。Flash存储器容量和成本NANDflash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额大。Flash存储器可靠性采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。Flash存储器耐用性在NAND闪存中每个块的极限擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。珠海嵌入式控制存储器原理和电路图