北京进口金刚石抛光液生产工艺

时间:2021年01月05日 来源:

多晶金刚石抛光液  

多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分,配合**散性配方,可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。

主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。  

氧化硅抛光液(CMP抛光液)  

CMP抛光液是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。 ***用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。   

氧化铈抛光液  

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液,该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。  适用于高精密光学仪器,光学镜头,微晶玻璃基板,晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。  

氧化铝和碳化硅抛光液  

是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液,主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。 本公司销售的纳米抛光液应用范围:化妆品填料。北京进口金刚石抛光液生产工艺

纳米氧化铈水分散液(纳米氧化铈抛光液)  

关键词:纳米氧化铈抛光液  氧化铈抛光液  研磨液电解抛光液 蓝宝石抛光液 不锈钢抛光液、金属抛光液、瓷砖抛光液该纳米氧化铈抛光液分散性好,质量稳定,久置不分层不沉淀,可极大提高抛光效率和精度,生产流程不会引入金属离子。   

产品说明:      本品外观为白色液体,氧化铈纳米粒子平均粒径为20nm,氧化铈含量不低于30%,分散介质为去离子水,pH在9-10,0.5%-1%的悬浮稳定剂。生产流程不引入金属离子。   产品应用:      

1)精密仪器抛光      本品不含碱金属离子,粒径小,粘度很低,为晶体硅、LED、高精密玻璃等器件的抛光需求而研发生产。不含有害成分,除氧化铈外,悬浮剂为环保成分不会对环境和人体带来间接危害。      

2)防紫外线      添加于特种涂料、遮阳伞、玻璃等便可制得防紫外线的特种产品,用于塑料中更是可以起到防老化的效果。     

 3)隔热功能      由于纳米氧化铈有***的隔热性能,本品亦是隔热涂料中不可或缺的成分。      

4)催化剂      在催化剂中加入本品可明显减少贵金属用量并改善催化性能,使催化器的价格大幅下降。氧化铈还能与纳米氧化钛制成光催化剂,用于***陶瓷和富氧离子环保涂料等。 东莞研磨抛光用抛光液价格查询本公司销售的氧化铝抛光液低VOC配方,使用过程避免粉尘产生,关注环保和人体健康安全 。

    抛光液锗抛光液集成电路多次铜布线抛光液集成电路阻挡层抛光液应用,在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高,普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用"软磨硬"的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展,聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。2.半导体行业CMP技术还***的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供"光滑"的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是目前***的可以在整个硅圆晶片上***平坦化的工艺技术。

纳米氧化铝颗粒在极性的水溶液中,氧化铝颗粒因为受静电力等作用发作聚会,简单呈现絮凝分层等现象,抛光液的涣散性、安稳性。由磨料颗粒的聚会现象发作的大颗粒胶团,是化学机械抛光进程中衬底外表呈现划痕的主要原因。氧化铝颗粒的粒径巨细及散布、Zeta电位,以及抛光液添加安稳剂、涣散剂的品种和质量对抛光液安稳性有较大的影响。

  对纳米氧化铝外表改性可进步颗粒外表规矩度,减少抛光划痕和凹坑,一起进步氧化铝磨料涣散度和抛光液安稳性。常见的处理办法为利用偶联剂、有机物、无机物等在硬度较高的氧化铝粒子外表包覆一层较软的物质以减少抛光划痕和凹坑等缺点,从而改进氧化铝抛光液的安稳性和涣散性,一起能有用进步抛光磨料的耐磨性能。此外,还能够经过改动氧化铝颗粒Zeta电位来进步抛光液的安稳性。

  磨料粒子的涣散问题。现在,国内外常用超声波、机械拌和、外表处理等机械化学办法对纳米磨料粒子进行涣散,但是往往达不到效果,因而,纳米磨料粒子的涣散安稳性需要进一步的研讨。


本公司销售的纳米抛光液应用范围:透明陶瓷:高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。

氧化铝抛光液含有溶胶氧化铝,可经过朴实的机械抛光来***地去除资料,达到优异的外表处理效果。而非结晶***抛光液,具有弱碱性,经过化学-机械的抛光方法与资料外表形成反应层,柔软的***去除反应层,可得到高质量的外表。 因而,不同类型的终究抛光液采用不同的抛光机制。不同的资料类型决议着是挑选氧化铝抛光液仍是挑选氧化硅抛光液。

用氧化铝抛光液朴实机械抛光可使样品外表平整,但是却无法确保铜不发生,因而氧化铝抛光液**适合涂层丈量和边界层分析。用氧化硅抛光液,经过化学-机械抛光可在焊料上发生腐蚀,还有轻微的抛光浮凸,但却不会损伤样品,因而氧化硅抛光液**适合铜的微观**分析和EBSD了。


本公司销售的氧化铝抛光液运用抛光过程中的化学新作用,提高抛光速度,改善抛光表面的质量。北京进口金刚石抛光液生产工艺

抛光液具有性能稳定、***,对环境无污染等优点。北京进口金刚石抛光液生产工艺

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:

(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。 北京进口金刚石抛光液生产工艺

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