天津纳米氮化铝粉体
提高氮化铝陶瓷热导率的途径:选择合适的烧结工艺,热压烧结:热压烧结是指在机械压力和温度同时作用下,对粉料进行烧结获得致密块体的过程。热压烧结可以使加热烧结和加压成型同时进行。在高温下坯体持续受到压力作用,粉末原料处于热塑性状态,有利于物质的扩散和流动,并且外加压力抵消了形变阻力,促进了粉末颗粒之间的接触。热压烧结可以降低氮化铝陶瓷的烧结温度,而且不用烧结助剂也能使氮化铝烧结致密,且除氧能力强,但是缺点是设备昂贵,而且只能制备形状简单的样品。氮化铝陶瓷片川于大功率半导体集成电路和大功率的厚模电路。天津纳米氮化铝粉体
陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。氮化铝陶瓷基板是以氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板。氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板,具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。近年来,随着我国电子信息行业的快速发展,市场对陶瓷基板的性能要求不断提升,氮化铝陶瓷基板凭借其优异的特征,其应用范围不断扩展。氮化铝陶瓷基板应用领域较广,涉及到汽车电子、光电通信、航空航天、消费电子、LED、轨道交通、新能源等多个领域,但受生产工艺、技术水平、市场价格等因素的影响,目前我国氮化铝陶瓷基板应用范围仍较窄,主要应用在制造业领域。相比与氧化铝陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板性能优异,随着市场对基板性能的要求不断提升,未来我国氮化铝陶瓷基板行业发展空间广阔。上海陶瓷氮化铝粉体商家利用氮化铝陶瓷能耐铁、铝等金属和合金的溶蚀性能,可用作Al、Cu等金属熔炼的坩埚和浇铸模具材料。
氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物,晶格参数为a=3.114,c=4.986。纯氮化铝呈蓝白色,通常为灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族宽禁带半导体材料。氮化铝(AlN)具有度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性,不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相,尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域,其性能远超氧化铝。与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝陶瓷综合性能优良,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常巨大。理论上AlN热导率可达320W·m-1·K-1,但由于AlN中的杂质和缺陷造成实际产品的热导率还不到200W·m-1·K-1。这主要是由于晶体内的结构基元都不可能有完全严格的均匀分布,总是存在稀疏稠密的不同区域,所以载流声子在传播过程中,总会受到干扰和散射。
高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。放电等离子烧结是20世纪90年代发展并成熟的一种烧结技术,它利用脉冲大电流直接施加于模具和样品上,产生体加热使被烧结样品快速升温;同时,脉冲电流引起颗粒间的放电效应,可净化颗粒表面,实现快速烧结,有效地抑制颗粒长大。使用SPS技术能够在较低温度下进行烧结,且升温速度快,烧结时间短。微波烧结是利用特殊频段的电磁波与介质的相互耦合产生介电损耗,使坯体整体加热的烧结方法。微波同时提高了粉末颗粒活性,加速物质的传递。微波烧结也是一种快速烧结法,同样可保证样品安全卫生无污染。虽然机理与放电等离子体烧结有所不同,但是两者都能实现整体加热,才能极大地缩短烧结周期,所得陶瓷晶体细小均匀。氮化铝粉体的制备工艺:高温自蔓延合成法:高温自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法。
氮化铝陶瓷的注凝成型:该工艺的基本原理是在黏度低、固相含量高的料浆中加入有机单体,在催化剂和引发剂的作用下,使料浆中的有机单体交联聚合形成三维网状结构,使料浆原位固化成型,然后再进行脱模、干燥、去除有机物、烧结,即可得到所需的陶瓷零件。注凝成型的工艺特点:坯体强度高、坯体整体均匀性好、可做近净尺寸成型、适于制备复杂形状陶瓷部件和工业化推广、无排胶困难、成本低等。目前流延成型和注射成型在制备氮化铝陶瓷方面具有一定优势,随着科学技术的发展以及人们对环境污染的重视,凝胶流延成型和注凝成型必然会取代上述两种方法,成为氮化铝陶瓷的主要生产方法,从而促进氮化铝陶瓷的推广与应用。氮化铝是综合机械性能很好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数很小。上海陶瓷氮化铝粉体商家
由于铝和氮的原子序数小,氮化铝本身具有很高的热导率。天津纳米氮化铝粉体
薄膜法是通过真空镀膜技术在AlN基板表面实现金属化。通常采用的真空镀膜技术有离子镀、真空蒸镀、溅射镀膜等。但金属和陶瓷是两种物理化学性质完全不同的材料,直接在陶瓷基板表面进行金属化得到的金属化层的附着力不高,并且陶瓷基板与金属的热膨胀系数不匹配,在工作时会受到较大的热应力。为了提高金属化层的附着力和减小陶瓷与金属的热应力,陶瓷基板一般采用多层金属结构。直接覆铜法(DBC)是一种基于陶瓷基板发展起来的陶瓷表面金属化方法,基本原理是:在弱氧化环境中,与陶瓷表面连接的金属铜表面会被氧化形成一层Cu[O]共晶液相,该液相对互相接触的金属铜和陶瓷基板表面都具有良好润湿效果,并在界面处形成CuAlO2等化合物使金属铜能够牢固的敖接在陶瓷表面,实现陶瓷表面的金属化。而AlN基板具有较强的共价键,金属铜直接覆着在其表面的附着力不高,因此必须进行预处理来改善其与Cu的附着力。一般先对其表面进行氧化,生成一层薄Al2O3,通过该氧化层来实现与金属铜的连接。天津纳米氮化铝粉体
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