天津陶瓷氧化铝销售公司

由于氮化铝陶瓷基片的特殊技术要求，加上设备投资大、制造工艺复杂，氮化铝陶瓷基片重点制造技术被日本等国家的几个大公司掌控。氮化铝陶瓷基片制备、烧结及后期加工等特殊要求较高，尤其是在产品领域对产品性能、稳定性等要求更高，再加上设备投资大、制造工艺复杂。目前，我国氮化铝陶瓷基片生产企业缺乏重点技术，再加上我国大多数氮化铝陶瓷基片生产企业规模较小，研发投入资金有限，技术人员较少且经验不足，导致我国氮化铝陶瓷基片整体技术水平较低，产品缺乏竞争力，主要集中在中低端产品。近几年，中国氮化铝基板生产企业数量增长趋势很快，原有企业也积极扩大生产规模。氮化铝产量不断增长，增长速度有加快趋势，但是国内氮化铝产量仍然不足，不能满足国内需求，还需要从国外大量进口。氧化铝陶瓷基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配。天津陶瓷氧化铝销售公司

热导率K在声子传热中的关系式为：K=1/3cvλ；上式c为陶瓷体本身的热容，v为声子的平均运动速度，λ为声子的平均自由程。材料本身的热容（c）接近常数，氮化铝的热容大是氮化铝的热导率高的原因之一，声子速度（v）与晶体密度和弹性力学性质有关，也可视为常数，所以，声子的传播距离（平均自由程），是影响很终宏观上氮化铝陶瓷的热导率表现的关键。所以我们通过氮化铝内部声子的热传导机理可知，要想热导率高，就要使声子的传播更远（自由程大），也即减少传播的阻力，这种阻力一般来自于声子扩散过程中的各种散射。烧结后的陶瓷内部通常会有各种晶体缺陷、杂质、气孔以及引入的第二相，这些因素的作用使声子发生散射，也就影响了很终的热导率。通过不断研究证实，在众多影响AlN陶瓷热导率因素中，AlN陶瓷的显微结构、氧杂质含量尤为突出。宁波电绝缘氮化硼价格氮化铝的电阻率较高,热膨胀系数低，硬度高，化学稳定性好但与一般绝缘体不同。

氮化铝粉体的制备工艺：碳热还原法：碳热还原法就是将混合均匀的Al2O3和C在N2气氛中加热，首先Al2O3被还原，所得产物Al再与N2反应生成AlN，其化学反应式为：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其优点是原料丰富，工艺简单；粉体纯度高，粒径小且分布均匀。其缺点是合成时间长，氮化温度较高，反应后还需对过量的碳进行除碳处理，导致生产成本较高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮气或氨气气氛下，利用球磨机的转动或振动，使硬质球对氧化铝或铝粉等原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌，从而直接氮化生成氮化铝粉体的方法。其优点是：高能球磨法具有设备简单、工艺流程短、生产效率高等优点。其缺点是：氮化难以完全，且在球磨过程中容易引入杂质，导致粉体的质量较低。

随着电子和光电行业蓬勃发展，电子产品的功能越发，同时体积也越来越小，使集成电路(IC)和电子系统在半导体工业上也朝向高集成密度以及高功能化的方向发展。目前，封装基板材料主要采用氧化铝陶瓷或高分子材料，但随着对电子零件的承载基板的要求越来越严格，它们的热导率并不能满足行业的需求，而AlN因具有良好的物理和化学性能逐步成了封装材料的首要选择。氮化铝陶瓷室温比较强度高，且不易受温度变化影响，同时热导率高（比氧化铝高5-8倍）且热膨胀系数低，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热，是一种优良的耐热冲材料及热交换材料，作为热交换材料，可望应用于燃气轮机的热交换器上。氮化铝是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。

AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。近几年，出于减少能耗、降低成本以及实现AlN与金属浆料的共同烧结等因素考虑，人们开始注意AlN低温烧结技术的研究。所谓低温烧结是个相对概念，指的是将AlN的烧结温度降低到1600℃至1700℃之间实现致密度高的烧结。一般认为，AlN表层的氧是在高温下才开始向其晶格内部扩散。因此，低温烧结另外一个潜在的有利影响是可以延缓高温烧结时表层氧向AlN晶格内部扩散，增进后续热处理过程中的排氧效果，有利于制备出高热导率的陶瓷材料。低温烧结的关键技术是选择有效的烧结助剂。氮化铝可通过氧化铝和碳的还原作用或直接氮化金属铝来制备。导热氮化铝粉体销售公司

大多数氮化铝膜为多晶，但已在蓝宝石基材上成功地外延生长制成单晶氮化铝膜。天津陶瓷氧化铝销售公司

目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。相对于无压烧结来说，热压烧结的烧结温度要低得多，而且烧结体致密，气孔率低，但其加热、冷却所需时间较长，且只能制备形状不太复杂的样品。热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。由于AlN具有很强的共价性，故其在常压烧结时需要的烧结温度很高。在常压烧结条件下，添加了Y2O3的AlN粉能产生液相烧结的温度为1600℃以上，且烧结温度要受AlN粒度、添加剂种类及添加剂的含量等因素的影响。常压烧结的烧结温度一般为1600～2000℃，保温时间为2h。天津陶瓷氧化铝销售公司

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