2025年3月10日至12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

时间:2024年11月29日 来源:

得益于碳化硅的物理特性,其功率器件较硅基器件具有更高的工作频率、更高的能量转换效率、更好的散热能力。碳化硅功率器件和功能模块广泛应用于新能源汽车、光伏发电、电源、轨道交通等领域。在新能源汽车领域,碳化硅功率器件主要用于电驱主逆变器、车载充电器(OBC)及DC-DC(直流—直流)转换器。随着新能源汽车需求增长及碳化硅功率器件的普及,其市场规模将进一步扩大。在光伏发电领域,碳化硅功率器件主要用于光伏逆变器,能提高能量转换效率、降低能量损耗、增加功率密度并解决系统成本。随着光伏电站电压等级从1000V提升至1500V,未来将进一步提升至1700V乃至2000V,在更高的电压等级下,碳化硅功率器件的优势将更加突出。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展,中國‌國際先進陶瓷展,3月10日我们共同见证盛会开幕!2025年3月10日至12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

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碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为满足不同芯片功能需求,需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:高电阻率(电阻率≥105Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,以及低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件,通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片;导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!诚邀您莅临参观!2025年3月10日至12日中国上海市先进陶瓷展览会“中國‌國際先進陶瓷展览会”2025年3月10日上海世博展览馆。云集行业杰出企业的商贸平台,共襄行业盛会!

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“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一,展现了突出的性能优势,具有极高的产业价值,被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析,揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会(2025年)展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观!氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能,应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型,由于晶型转变产生体积变化,造成开裂。加入适量稳定剂,使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相,控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好,成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明,Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度;在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料,制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷,并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响,从而为生产提供理论依据,进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。业界精英云集中國國際先進陶瓷展,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日,我们在上海等您!

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相比硅器件,SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面,SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能,而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)损耗较高,而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%,整体功率损耗降低66%。导通电阻方面,SiC MOSFET芯片面积则更小,如在900V导通电阻下,硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管,可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高,可达200℃或更高,适用于汽车市场,其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!中國‌國際先進陶瓷展览会,助力企业发展行业繁荣,与行业精英携手共创无限商机,3月10日在上海恭候您!2025年3月10日至12日中国上海市先进陶瓷展览会

赋能前沿智造,智领行业未来,“中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10日上海共创无限商机!2025年3月10日至12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

五展联动;孕育无限发展商机;IACECHINA2025将与第17届中国国际粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海国际线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海国际增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海国际粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会(2025年)展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!2025年3月10日至12日上海市国际先进陶瓷技术前沿论坛

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