2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛
碳化硅半导体属于高度技术密集型行业,具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒,高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响,目前各路资本争相投资,碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时,全球碳化硅半导体行业市场集中度较高,市场份额主要被美国、欧洲、日本等國家和地区的企业占据,国内企业未来将面临國際先進企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化,会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!深耕行业市场,开拓业务网络,新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國國際先進陶瓷展览会!2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛
![2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛,先进陶瓷](https://img01.71360.com/w3/k1z3dx/20240920/facfdc43e33e61df9f8a7ea943deb294.jpg)
在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!诚邀您莅临参观!2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英;展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕!
![2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛,先进陶瓷](https://img01.71360.com/w3/k1z3dx/20240920/dd933a69f6201af56b1842e595b41d62.jpg)
微波烧结是利用微波电磁场中材料的介质损耗使材料整体加热至烧结温度而实现烧结和致密化。微波烧结具有体加热的特性,烧结过程中依靠材料本身吸收微波能,并转化为材料内部分子的动能和势能,降低烧结活化能,提高扩散系数,从而实现低温快速烧结,可获得纳米晶粒的烧结体。微波烧结的优点为具有较短的烧结时间,使引起低频介质损耗的缺陷浓度减小,从而使得介质损耗降低。相对于常规无压烧结,微波烧结制备的BaTiO3陶瓷晶粒更小,具有相对多的晶界,晶界的介电常数较低。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观!
碳化硅外延需经过光刻、沉积、离子注入等前段工艺形成碳化硅晶圆,再经过减薄、封装等后段工艺分别形成碳化硅芯片、功率器件及功率模块。在制程上,SiC芯片与硅基器件的工艺类似,但SiC制备需要特殊设备,如高温离子注入机和高温热处理设备等。刻蚀、减薄等环节也需特殊设备。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!“中國國際先進陶瓷展览会:2025年3月10-12日上海世博展览馆,让我们相聚上海,共同见证盛会开幕!
![2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛,先进陶瓷](https://img01.71360.com/w3/k1z3dx/20240920/dc5d8670a2435c2473a9f7919c3d08c5.jpg)
传统硅器件主要采用高温扩散掺杂,但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低,需极高温度,会恶化器件性能。因此,离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀,常采用多步离子注入,通过调节注入能量和剂量,控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较高的设备,全球设备厂商少、交期长,国产化率低于10%,是我国碳化硅晶圆线建设的较大瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立(Axcelis)及应用材料(收购瓦里安),日本爱发科及日清公司,國内厂商主要有中國电科48所(烁科中科信),中车思锐(收购IBS)和凯世通也在介入。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!中國國際先進陶瓷展览会,聚焦前沿科技产品的領軍平台。诚邀您2025年3月10日相聚上海,共襄盛会。2024中国国际先进陶瓷产业展览会
先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展,中國國際先進陶瓷展,3月10日我们共同见证盛会开幕!2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛
碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法(CVD)、分子束外延法(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华法(PLD)等。其中CVD法较为普及,该方法能精确控制生长条件,包括气体源流量、温度和压力,从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型,重复性良好,设备适中,为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行,但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法,不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升,厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加;外延层厚度增加,控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!2024年第十六届先进陶瓷技术发展论坛
上一篇: 3月6日上海国际注射成形及增材制造展览会