中波红外热像仪维修

但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！红外热成像领域多年，对钢铁行业红外测温应用富有经验，在钢铁冶金业方面的部分实际应用与解决方案。中波红外热像仪维修

由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速｡在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美｡QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度)，QWIP的量子效率普遍很低｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡欧普士红外热像仪服务电话***款手持式红外热像系统诞生起，科学家们就前赴后继地致力于研发更加便携、好用的热像仪器。

对于该类探测器,基底由Si变为Ge时,其探测波段可从IR延伸到THz,在这里姑且将Si基与Ge基两类放在一起加以阐述｡传统的非本征探测器是基于被掺杂的Ge或Si作为吸收材料制作而成的结构简单的PC探测器,主要有Ge:X[X=Hg､Ga､铍(Be)､锌(Zn)]､Si:Y[Y=Ga､砷(As)､铟(In)]等类型｡这类探测器的响应范围取决于杂质元素在基底里的离化能量,一般可覆盖LWIR､VLWIR乃至THz波段,但需要在低温(<10K)下工作｡由于响应波段很宽,非本征探测器被应用到了航天领域,然而困境也随之出现:在太空中核辐射对探测器响应的影响较大,需要减薄探测器吸收层来降低影响,但这样也会使量子效率降低

晶格失配度比较低时，红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm，此时探测器所能达到的探测率是比较高的，接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能，InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视，其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带，有利于夜间观测目标物体的发射，因此在高空侦察方面有重要的应用价值，如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。红外热像仪的很多组件在故障发生前受热，温度升高”，其次，每个物体都发射肉眼无法察觉的红外光谱热辐射。

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