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SMT线路板回流焊缺陷分析：锡珠(SolderBalls)：原因：1、丝印孔与焊盘不对位，印刷不精确，使锡膏弄脏PCB。2、锡膏在氧化环境中暴露过多、吸空气中水份太多。3、加热不精确，太慢并不均匀。4、加热速率太快并预热区间太长。5、锡膏干得太快。6、助焊剂活性不够。7、太多颗粒小的锡粉。8、回流过程中助焊剂挥发性不适当。锡球的工艺认可标准是：当焊盘或印制导线的之间距离为0.13mm时，锡珠直径不能超过0.13mm，或者在600mm平方范围内不能出现超过五个锡珠。锡桥(Bridging)：一般来说，造成锡桥的因素就是由于锡膏太稀，包括锡膏内金属或固体含量低、摇溶性低、锡膏容易榨开，锡膏颗粒太大、助焊剂表面张力太小。焊盘上太多锡膏，回流温度峰值太高等。电容，电容量的简称，是电子设备中大量使用的电子元件之一。常见SMT线路板加工销售价格

SMT生产现场的设计必须把安全生产放在中心。由于SMT设备一般采用联线安装的方式，因而生产线的长度较长(例如:一条高速SMT线全长达25-35M)，地面的负荷相对较为集中。单台高速贴片机在装载Feeder后，总重量将超过6000kg，因而对厂房地面的承重能力有较高的要求。通常，SMT高速线安装在厂房内，则建议厂房地面的承载能力就不小于7。5KN/m2，甚至10KN/m2。如果楼面的承载能力过低，则在设备安装使用一段时间后，楼面容易产生变形或裂缝，影响设备运行的可靠性和加工的精确度。专业定制SMT线路板加工价格高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。

表面贴装(SMT)制程是板阶可靠性测试(BLR)的较早的关卡，芯片黏着在仿真PCB上的质量好坏，将直接影响到产品寿命判断精细度。质量好坏的关键因素包括，锡膏特性、印刷条件设定(如脱模间距、脱模时间、印刷速度)、置件精细度、钢板选择。iST全自动SMT生产线，不仅可提供小量产服务，更可协助您量身订作测试样品，节省您样品寄送往返时间，降低寄送过程损坏风险，进而减少测试变因。此外，高阶解决焊点气泡(Void)的回焊设备，除了可以排除气泡问题(控制汽泡在10%以下)，更可以配合您多样化的回流焊(Reflow)条件需求，调整出良好条件。SMT经验丰富，确保样品一致性及良率提供DFM(DesignForManufacture)咨询，为客户彻底解决User问题SMT制程能力达Pitch0.15mm；元器件尺寸达0.3mmx0.15mm，轻松因应芯片尺寸与脚距(FinePitch)的微缩化。

SMT就是表面组装技术（Surface Mounted Technology的缩写），是目前电子组装行业里当下流行的一种技术和工艺。它将传统的电子元器件压缩成为体积只有几十分之一的器件，从而实现了电子产品组装的高密度、高可靠、小型化、低成本，以及生产的自动化。这种小型化的元器件称为：SMY器件（或称SMC、片式器件）。将元件装配到印刷（或其它基板）上的工艺方法称为SMT工艺。相关的组装设备则称为SMT设备。  目前，先进的电子产品，特别是在计算机及通讯类电子产品，已普遍采用SMT技术。国际上SMD器件产量逐年上升，而传统器件产量逐年下降，因此随着进间的推移，SMT技术将越来越普及。SMT的工艺流程简化为:印刷-------贴片-------焊接-------检修。

HIT电池HIT电池是异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的简称。电池制作过程大致为：利用PECVD在表面织构化后的n型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H，然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层；利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜（TCO），用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。HIT电池具有高效的原理是：1、全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命；2、双面制结，可以充分利用背面光线；3、表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性；4、采用的n型硅片其载流子寿命很大，远大于p型硅，并且由于硅片较薄，有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集；5、织构化的硅片对太阳光的反射降低；6、利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化，这是该电池取得高效的重要原因。制作SMT设备程序时，程序中包括五大部分，此五部分为PCB data; Mark data;Feeder data; Nozzle data; Part data。百翊电子科技SMT线路板加工批量定制

两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。常见SMT线路板加工销售价格

传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和质量DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低;借助内部引线键合以及铜夹带设计，可很大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。另外，采用的深沟道硅(trenchsilicon)MOSFET工艺，还能出色降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS(AutoPhaseSwitching)。除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了普遍采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。常见SMT线路板加工销售价格

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