云南CeYAG晶体厂家报价

工业CT的在线检测,无机闪烁晶体与光电倍增管或硅光电二极管耦合构成的探测器是工业XCT的重要组成部分，也是工业CT的中心技术之一。工业CT需要密度大、衰减快、光输出高的闪烁晶体，就像医用XCT一样。目前，CsI:Tl、BGO、CdWO4等无机闪烁晶体在工业CT在线检测领域具有潜力和巨大的应用前景[。

油井勘探，石油钻井有几千米深，伽马探头可以遥测地层特征，从而判断资源。世界石油勘探的三分之一是核测井的贡献。利用核测井技术可以快速准确地勘探和反映不同生产井的情况。核测井的经济效益0突出，年营业额估计几十亿美元。闪烁晶体作为油井探测器的探头，要求具有良好的能量分辨率(高光输出)，更重要的是要求具有良好的温度特性(耐高温)、抗振动等力学特性。到目前为止，NaI:Tl仍被很广使用，但随着计数率和探测效率的提高，需要快速、高原子数的闪烁体。BGO的z值高于NaI:Tl，但温度特性较差，即BGO的输出光强随温度的升高而急剧下降。GSO:Ce似乎很有前途，因为该检测器无需冷却即可保持高检测效率

Ce:YAG无机闪烁晶体的性能表征有哪些？云南CeYAG晶体厂家报价

温度梯度法生长Ce:YAG高温闪烁晶体的优点是：(1)温度梯度法生长过程中，坩埚、晶体和加热区不移动，消除了机械运动引起的熔体涡流。晶体生长在稳定的温度梯度场中，在一定程度上压迫了熔体涡旋和对流，可以消除固液界面的温度和浓度波动，避免过多的缺陷；(2)新生长的晶体被熔体包围，从而可以控制其冷却速率，以降低晶体的热应力和由此产生的缺陷，如裂纹和位错；(3)与通常的直拉法相比，温度梯度法采用Mo坩埚，不但可以生长更大的单晶，而且降低了成本；(4)温度梯度法的整个生长体系处于弱还原气氛中，对于生长掺Ce3的高温闪烁晶体具有一定的优势。

当然，为了获得高质量、大尺寸的Ce:YAG高温闪烁晶体，需要根据YAG晶体的特性优化生长系统的温度场，即采取必要的措施调整生长系统，使晶体的固液界面平整，从而克服YAG晶体刻面生长严重的问题。

生长CeYAG晶体批发价Ce:YAG一般有多少浓度的？

常用无机闪烁晶体的闪烁特性

自NaI:Tl无机闪烁晶体发明以来，出现了大量的无机闪烁材料，例如0近一篇文章报道了400多种闪烁化合物[22]。然而，在高能物理、核物理和核医学等领域已经得到普遍应用的具有优异性能的闪烁晶体很少，如NaI:Tl、CsI:Tl、CdWO4、BGO和PWO等。此外，近年来新出现的掺铈高温闪烁晶体如YAP、LSO和LuAP是新一代具有诱人闪烁性能的无机闪烁晶体。

无机闪烁晶体的主要应用

与塑料聚合物、液体、液晶和荧光粉等普通闪烁材料相比，无机闪烁晶体具有密度高、体积小、物理化学性质和闪烁性能优异等突出特点，在所有实用闪烁材料中占有重要地位。由闪烁晶体、光电倍增管、硅光二管和雪崩光电二极管组成的探测元件具有普遍的应用背景

无机闪烁晶体和光电倍增管等光敏器件的耦合是XCT和正电子发射断层探测器的重要组成部分，在核医学成像领域占有非常重要的地位。目前，BGO晶体主要用于聚酯领域。1995年出现的Ce:LSO和Ce:LuAP晶体比BGO晶体具有更高的光输出和更快的时间衰减常数，因此被认为是下一代PET商用设备的优先材料，其主要闪烁见下表1-4 [29]-[32]。近日，美国CTI公司用Ce:LSO晶体[29]制作了新一代小型PET探测器样机。此外，闪烁晶体如Ce:GSO和Ce:YAP在核医学成像领域有重要应用[[30]。CeYAG晶体具体是做什么用的？

深度剖析Ce:YAG晶体。Ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体。发光中心的激发与发射之无机闪烁晶体中的发光中心，可分为本征发光中心和非本征发光中心。本征中心包括：，自陷激子(STE)、基质的组成原子，或原子团以及晶格中的杂质，或其他点缺陷。非本征发光中心，主要包括人工诱导的激发中心。发光中心主要通过依次捕获电子和空穴，或者依次捕获空穴和电子来激发。终，被激发的发光中心发出紫外或可见光子，即闪烁光的发射。

C ＋ h → A+      C+ ＋ e → (C)*       (C)* → hν   

上式表示了发光中心激发与发射过程：上式中发光中心C表示，空穴、电子：h、e表示，(C)*表示处于激发态的发光中心。 由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。贵州专业生长CeYAG晶体

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Ce:YAP晶体的光谱特性

Ce3离子的光谱是由不同宇称的5d-4f跃迁产生的，因此晶体场对光谱有重要影响。YAP晶体具有畸变的钙钛矿结构，属于正交晶系(晶胞参数分别为a=5.176，b=7.35，c=5.307)，空间群为-pnma  [66]。在YAP晶格中，Al3离子在钙钛矿结构中占据C1位对称的b位，其配位数为8；Y3离子在此结构中占据C1h对称的A位，配位数为12。当Ce3离子进入YAP晶格时，Ce3离子取代了具有C1h对称性的Y3离子。4f1电子构型Ce3离子的基态由2F7/2和2F5/2组成。室温下，一个电子占据基态2f5/2。5d态在低对称晶场(C1h)的作用下分裂成五个子能级其能级重心约为38300cm-1，f-d吸收和发射的斯托克斯频频移约为4500cm-1。当电子在5d-4f能级之间跃迁时，形成宽带吸收激发和发射光谱。在180-300 nm范围内有5个吸收带，峰值波长分别为220nm、238nm、275nm、290nm和303nm(一般在光谱上只能观察到0终4个峰值波长)，但这5个激发带在其激发光谱中是可以区分的(对应于370nm处的发射)。YAP晶体的基本吸收边(带隙)约为7.6eV 云南CeYAG晶体厂家报价

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