湖北生长CeYAP晶体

发光中心的激发和发射

闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段，因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下，通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。

Tl  h   Tl2，Tl2 e   h

但是空穴复合发光也是可能的

Tl  e   Tl0，Tl0 h   h

在无机晶体中，能量通过激子转移到发光中心的几率小于复合发光的几率。一般认为，在辐照过程中，低能激子数小于电子空穴对数。为了形成激子，入射电子(光子)的能量应该正好等于激子的能量 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。湖北生长CeYAP晶体

同浓度Ce: YAP的荧光光谱。在可见光(300纳米)激发下，不同浓度Ce: YAP的荧光强度随着浓度的增加而增加，直到0.5at%。当浓度为1.0at%时，浓度淬灭，发光强度开始降低。如图4-7所示，相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶体在X射线激发下的发光强度随着浓度的增加先增大后减小，峰值位置也有红移，其中0.3at%处的发光强度比较高。自吸收对光致发光几乎没有影响，因为激发和发射过程都发生在样品表面。在高能射线的激发下，经过多次电离过程，晶体内部产生大量的电子-空穴对，电子-空穴对将能量传递到发光中心，发光过程基本发生在晶体内部。重庆专业抛光CeYAP晶体CeYAP晶体有哪些浓度？

首先，用提拉法生长大尺寸Ce: YAP晶体，包括改进生长设备和调整生长工艺。因为以前的生长工艺不适合生长大尺寸的Ce: YAP晶体，尤其是晶体形状、肩部和等径部分不能得到有效控制，影响晶体质量。为了解决存在的问题，我们改进了晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，重新设计了坩埚和保温罩，并对温度场过程进行了适当的探索。

其次，研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，还原Ce4离子可以***Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。

电子空穴对的产生

假设具有中等能量(小于0.1兆电子伏)的X射线或伽马射线量子与闪烁体或任何凝聚物质相互作用。在这种情况下，光电效应占主导地位，在原子的内壳层(通常是K层)会产生一个空穴和一个自由或准自由电子。这个过程可以表示为一个原子A在固体中的单个电离反应：

A  h  A  e

这里，h替代完全被固体吸收的入射光量子的能量，产生的一次电子的能量等于HEk，其中Ek是原子A的K电子壳层的能量(对于NaI和CsI晶体中的I原子，Ek约为33 KeV)。 退火和辐照对纯YAP和Fe:YAP晶体吸收谱有影响吗？

在康普顿闪光过程中，电子与X射线或其他高能射线发生弹性散射，使得高能射线的波长变长，这是吸收辐射能的主要途径之一。在康普顿效应中，单个光子与单个自由电子或束缚电子碰撞。在碰撞中，光子将部分能量和动量传递给电子，导致电子反冲。

电子-正电子对是指辐射能直接转化为物质的过程，也是高能粒子通过物质时无机闪烁晶体吸收高能射线的主要途径之一。要产生正负电子对，光子的总能量必须大于1.02MeV。 Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？江西CeYAP晶体批发价

CeYAP晶体不同浓度如何辨别？湖北生长CeYAP晶体

根据Ce: YAP晶体的透射光谱结果，由于吸收峰和发光峰的重叠，高能射线的激发发光明显受到自吸收的影响。将晶体的透射光谱和光致发光光谱相乘，发现不同样品的结果与X射线激发的相应发射光谱相吻合，这表明随着厚度或浓度的增加，X射线激发的Ce: YAP样品的发射峰红移基本相同在0.5at%范围内，随着Ce3离子浓度的增加，Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加，但同时由于自吸收引起的透射边红移，实际光输出会降低。高能射线激发的晶体**终发光强度是这两个因素综合作用的结果。湖北生长CeYAP晶体

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