青海加工CeYAP晶体

掺铈高温闪烁晶体是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，其中铈：YAP和铈3360Yag是较好的晶体。随着应用要求的变化，闪烁晶体的尺寸越来越大，因此生长大尺寸的闪烁晶体变得更加重要。同时，国内生长的Ce:YAP晶体自吸收现象普遍存在，导致无法有效提高出光量，其机理尚不清楚。为了有效提高Ce:YAP晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高其发光强度，重点研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。同时，为了获得高发光效率的大尺寸Ce:YAG晶体，尝试用温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体，并探索了晶体的比较好热处理条件。本文主要讨论了大尺寸Ce:YAP晶体的生长和自吸收以及用温度梯度法生长和退火大尺寸Ce:YAG晶体，以提高晶体的实用性能。CeYAP晶体不同浓度如何辨别？青海加工CeYAP晶体

可以假设这种情况存在于NaI: Tl闪烁体中，因为其中Vk中心的迁移时间小于10-7s。另一个模型假设空穴与Vk中心分离，从价带向发光中心移动。由于非局域空穴的高迁移率，这是一种将能量转移到发光中心的快速方法。

闪烁过程的后面一个阶段，即发光中心的发射，已经得到了彻底的研究。我们上面已经提到了一些启动过程。目前发光中心一般分为内在和外在两类。卤化物和氧化物的本征发光主要受自陷激子效应的制约。非本征发光主要取决于激发剂本身的电子跃迁(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基质与激发剂之间的跃迁(znse3360te，zns:ag)。而一些所谓的自激闪烁晶体(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)处于本征发光和非本征发光的中间状态。 贵州专业抛光CeYAP晶体Ce:YAP高温闪烁晶体的研究！

在电子-电子弛豫过程中，能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量，随着电子能量的降低，电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出，造成能量损失。然而，在电子-电子弛豫阶段，这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。

两项一般性意见如下：

1.如上所述，快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是，能量实际上并没有损失，而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的：点缺陷的形成、声子，的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。

过渡金属离子掺杂对YAP晶体透射边缘的影响

由于过渡金属离子D层具有更多的电子能级，容易受到晶场的影响，因此YAP晶体中可能存在更多的吸收带。为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收的可能影响，我们比较了掺杂过渡金属如铜(0.5%)、铁(0.5%)和锰(0.5%)的纯YAP晶体的透射光谱。从图4-11可以看出，Mn掺杂的yap在480nm处有明显的吸收峰，而Cu掺杂的YAP在370nm左右有吸收峰，Fe掺杂的YAP将在下一节讨论。我们生长的Ce: YAP在350nm  ~ 500nm范围内没有额外的吸收峰，少量过渡金属离子的存在只会对吸收产生线性叠加效应，低浓度吸收不足以引起Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收带红移。同时，GDMS分析结果还表明，我们生长的Ce: YAP晶体中过渡金属的含量小于10ppm，对晶体发光的影响可以忽略不计。4.1.5紫外线照射对Ce: YAP晶体自吸收的影响 不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱？

(Ce3离子5d态的能量较低，与4f态的高能级重叠。所以4f电子会被激发到5d态，从5d态回到4f态会发光。由于5d轨道位于5s5p之外，不像4f轨道那样被屏蔽在内层，所以很容易受到外场的影响，使得5d态成为能带而不是离散能级。从这个能带到4f能级的跃迁成为带谱。

作为自由离子，Ce3的4f和5d能级差为6.134 eV  (202nm/49340cm-1) [14]。在晶体场的作用下，4f和5d之间的能级距离普遍减小。晶体场力越大，能级间距越小。从前面的讨论可以看出，4f能级在内层被屏蔽，基本不受晶场影响。5d态被晶体场分裂，导致4f和5d能级重心距离缩短。P. Dorenbos认为，晶体场引起的5d能级分裂程度取决于Ce3周围阴离子多面体的大小和形状[15]。基于Ce3离子以上独特的能级结构和发光特性，以Ce3离子为激发离子的无机晶体一般光输出高，衰减时间快，更适合作为闪烁晶体。 YAP会出现着色现象吗？专业生长CeYAP晶体哪家好

怎样才能把CeYAP晶体抛亮？青海加工CeYAP晶体

另一个类似于辐射长度的物理量叫做摩尔半径(RM):RMX0 (Z  1.2)/37.74(1.13)

小摩尔半径有利于减少其他粒子对能量测量的污染。吸收系数、辐射长度和摩尔半径与晶体密度直接或间接成反比。因此，寻找高密度闪烁晶体已成为未来闪烁晶体的一个重要研究方向。为了减小探测器的尺寸和成本，希望探测器越紧凑越好。因此，要求闪烁晶体在防止辐射方面尽可能强，表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。

晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性

表1-3给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性[10-12]:

(1)Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。

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